ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
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DRAMデザインエンジニア
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外資系企業
職種/業界
電気回路設計 / 半導体年収
800万円～1,600万円勤務地
神奈川県横浜市港北区DRAM製品のR&D業務を担当いただきます。台湾本社R&D、国内顧客、FAE／品質／営業部門と連携しながら、製品仕様、設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで、経験に応じて幅広くご担当いただきます。 【具体的には】 ・DRAMの回路設計、周辺回路設計、Product Design、Design Verification ・Memory Array、Sense Amplifier、I／O、Power、Timing、Peripheral Circuit等の設計・改善 ・製品仕様検討、設計レビュー、シミュレーション、評価結果の解析 ・テスト・評価・Characterization、歩留まり改善、Failure Analysisの支援 ・台湾本社R&Dとの技術打ち合わせ、仕様確認、課題解決 ・顧客要求に基づくカスタマイズ、技術問い合わせ対応、社内FAE／営業との連携 【このポジションの魅力】 ・台湾証券取引所上場のWinbond Electronicsグループ日本法人として、2001年に設立。安定した事業基盤のもと長期就業が可能です。 ・Specialty DRAM、Mobile DRAM、Graphics DRAMなど、車載・産業機器・通信機器・コンシューマー向けの高付加価値メモリ製品を展開しています。 ・台湾本社R&Dと直接連携し、日本にいながらグローバルなメモリ開発に携わることができます。 ・給与水準は高めに設定。経験・専門性に応じてマネージャー級、シニアスペシャリスト級の採用も検討可能です。