新規レーザ装置開発・加工プロセス開発※ポテンシャル採用
転勤なし
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体製造装置年収
950万円～1,500万円勤務地
東京都大田区レーザリフトオフ、LEAFに続くユニークなレーザ加工プロセスを用いた、新規装置の開発業務を担当いただきます。 ＜レーザリフトオフとは＞ https://technology.disco.co.jp/jp/method/laser-lift-off/ ＜LEAFとは＞ https://glass-kakou.disco.co.jp/ja/solution/leaf.html 前例のない加工技術の実現に向け、加工方法の確立、設計・実験・検証まで一貫して取り組みます。 制御の改良、機構の改良、光学系の改良など多岐に渡ります。 ■主な業務内容 1．新規装置開発業務 ・評価結果に基づく改良考案・設計（メカ、エレキ、ソフト、光学のいずれか）、加工プロセスの確立 ・メカ、エレキ、ソフト、光学、各技術者と協業し、新規装置の性能向上に向けた技術検討および設計改良・改善提案 ・一人あたり1～2機種を担当 ・開発した技術情報の関係部署への展開・共有 ・顧客と折衝を重ねながら、求められる性能や加工品質などの仕様を明確化し開発を推進 2．その他業務 ・1で得た知見の既存製品への展開、特殊仕様対応業務全般 ・装置を構成するユニット単体評価ならびに改良・改善提案 【出張について】 新規開発装置の出荷時は技術が出張対応を行い、改良に取り組みます 常ではありませんが、開発フェーズによって国内外への出張が発生します。 ※海外出張先：ヨーロッパ、アメリカ、アジア全般 【想定残業時間】50h/月(全社平均)