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サンディスク合同会社

東京都港区港南1-6-31 品川東急ビル3F

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サンディスク合同会社の企業情報

サンディスク合同会社の企業情報

事業内容・沿革
■NAND型フラッシュメモリなどの開発・製造 <沿革> 1988年 米国にてサンディスクコーポレーション設立 1992年 日本法人「サンディスク(株)」設立 1998年 従来のOEM販売活動に加えて、自社ブランド製品の全国販売を開始 1999年 東芝とともにフラッシュメモリー業界初となるNAND合弁事業を設立 2002年 世界初USBフラッシュメモリーを発売 2014年 世界最先端の15nmのテクノロジーNANDフラッシュプロセスノードを発表 2016年 米国ウエスタンデジタルの傘下に入る 2019年 ウェーハ製造の第二拠点となる北上工場(岩手県)竣工 2021年 ウエスタンデジタル合同会社に改組・社名変更 2025年 米国NASDAQに上場し、ウエスタンデジタルとの完全分社化を完了      サンディスク合同会社に改組・社名変更
企業の特徴
【概要・特徴】 SDカードやスマートフォンなどの身近な製品から、大規模データセンターやAI技術、自動運転技術などにも使われる半導体「NAND型フラッシュメモリー」を開発・生産する、世界トップクラスの米系半導体メーカー「Sandisk」の日本法人です。グローバルでは、1万人以上の従業員を擁しており、近年の連結売上高は73億5,500万USドル(2025年6月期/約1兆1,286億円)となっています。1988年に米国で創業し、世界初となるUSBフラッシュメモリーの発売や、世界で初めて大容量microSDカード(1テラバイト)を発売するなど、常にデータストレージ分野をリードし続け、人々を幸せにする役割を担うデータを支えています。キオクシア株式会社とはジョイントベンチャーパートナーシップを締結。半導体前工程を協業しております。 【事業展開】 データ活用社会において、さまざまな記憶装置が連携し、必要に応じてデータを交換し合う巨大なエコシステムが出現する中、同社は最先端のNANDフラッシュメモリの開発にて貢献しています。近年は次世代メモリ「HBF(High-Bandwidth Flash)」の開発に注力。3D NANDの大容量とHBM並みの高帯域幅を両立している次世代半導体の開発でAI向けのビジネスに注力しています。 【開発拠点】 本社はアメリカですが、常に革新的な製品を生み出してきたサンディスクの開発拠点は日本にあります。サンディスクとキオクシアが共同で運営する四日市工場(三重県)と北上工場(岩手県)では、フラッシュメモリが量産され、世界各地へ供給されています。両社は対等な立場でより良いメモリ開発に向けてタッグを組み、高性能かつ大容量のNANDフラッシュメモリの量産体制を確立。世界のNAND供給の約35%を担っています。
所在地
〒1080075 東京都港区港南1-6-31 品川東急ビル3F
設立
1992年8月
資本金
3億1,000万円
上場・非上場
非上場
従業員数
1,300人(2025年6月現在)
平均年齢
35歳
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