住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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高周波増幅器設計エンジニア
職種/業界
電気回路設計 / 半導体年収
450万円～800万円勤務地
山梨県中巨摩郡昭和町携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担当いただきます。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。 ■主な業務 ・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way／4-way等） ・高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析 ・試作品の高周波特性・信頼性評価（GHzオーダーRF測定） ・デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決 ・顧客との技術コミュニケーション（コンカレント・エンジニアリング） ■扱う技術領域 ・RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化 ・デバイス：GaN HEMT ・応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器 ■本ポジションの魅力 ・2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も世界有数の市場シェアを持つ増幅器製品開発の最前線に関われます。 ・材料・物性・高周波回路・顧客要求の統合点で設計判断を下す、電子デバイスの総合格闘技ともいえる仕事です。 ・国内外の主要基地局ベンダー様とのコンカレント・エンジニアリングを通じて、顧客目線でのプロダクト開発スキルが身につきます。