住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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住友電工デバイス・イノベーション株式会社の企業情報
住友電工デバイス・イノベーション株式会社の企業情報
事業内容・沿革
■光通信・無線通信用化合物半導体デバイスの設計・開発 ・製造
<沿革>
1984年 前身企業である株式会社富士通山梨エレクトロニクス(後の富士通カンタムデバイス)設立
2004年 住友電気工業株式会社(住友電工)と富士通カンタムデバイス株式会社の電子デバイス事業を統合。住友電工と富士通株式会社の折半出資会社としてユーディナデバイス株式会社が発足
2009年 ユーディナデバイス株式会社を住友電工が100%子会社化(事業分割により住友電工の光・電子デバイスに係る事業を継承)。住友電工デバイス・イノベーション株式会社に商号を変更
企業の特徴
【概要・特徴】
東証プライム上場の住友電気工業(株)傘下の通信機器デバイスメーカー。住友電工と富士通の出資により、2004年に設立されました。光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品の両方において世界トップ級シェアを持つ唯一のメーカーです。半導体はシリコンが材料になることが多いですが、同社は化合物半導体を製品に使用。近年、高速データ伝送・高効率でありながら低消費電力のデバイスを創出する化合物半導体への期待が高まっており、高性能・高品質な製品開発を追求しています。
【強み】
主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した化合物半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を用いたデバイス「GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)」は、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。今後は宇宙産業での採用も目指しています。
所在地
〒2440845
神奈川県横浜市栄区金井町1番地
設立
2004年4月
代表者
代表取締役社長 岩舘 弘剛
資本金
150億円
上場・非上場
非上場
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