研究開発<先端半導体前工程プロセス>
OCTRAMを始めとした先端デバイスを製造するための新プロセス開発に従事していただきます。 デバイス形状を造るリソグラフィ、ドライ加工、ウェット、CMPなどのプロセス、及びデバイス特性を司る絶縁膜成膜、導電体成膜などのプロセスが対象となります。 【具体的には】 ■先端デバイスを開発するためにデバイスグループやインテグレーショングループと連携して業務を行っていただきます。 ■300mmウェハでのデバイス・ロットを流すためにプロセス条件出しや環境整備を行っていただきます。 ■工程で課題のあるプロセスについては課題の要因を抽出、解決するための物理モデル構築、それらのモデルを検証するために物理分析や化学分析を活用していただきます。 ■課題の要因が理解できたところで、対策プロセスを立案し、その結果を確認していただきます。また、先端デバイスでは既存の装置では実現できない新規のプロセスが必要となります。新プロセスを実現するために装置メーカーとの共同開発、新規設備の導入をすることもあります。 【使用ツール】 半導体前工程の300mmウェハ装置を主に使用してプロセス開発を行います。 クリーンルームでの作業もありますが、作業担当の方に依頼することが可能です。 【業務のやりがい・魅力】 世の中にアピールすることができる消費電力が低い新メモリデバイスを開発しています。製品化を実現できれば、会社のビジネス拡大に寄与することができます。 さらには低消費電力のデバイス利用が拡大することで膨大な電力を消費するデータセンターの消費電力を削減し、社会貢献することができます。