日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー
日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー
化合物半導体プロセス開発エンジニア
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体年収
450万円～800万円勤務地
神奈川県化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とする業務を担当いただきます。 量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。 【具体的には】 ■主な業務 ・MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化 ・量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御 ・平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発 ・スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術 ・光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決 ■技術的な特徴 ・化合物半導体（InP、GaAs系）はシリコン半導体と異なり三次元構造を持つため、独自の成長技術が必要 ・MOCVD装置による結晶成長が最終的なデバイス特性の約9割を決定する最重要工程 ■現在の主要開発領域（光素子設計部と同じ製品群のプロセス立ち上げ） ・次世代EML（200G〜400Gb／s） ・高出力・低消費電力CWレーザ ・長距離対応波長可変レーザ