仕事内容

化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とする業務を担当いただきます。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。【具体的には】 ■主な業務・MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化・量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御・平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発・スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術・光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決 ■技術的な特徴・化合物半導体（InP、GaAs系）はシリコン半導体と異なり三次元構造を持つため、独自の成長技術が必要・MOCVD装置による結晶成長が最終的なデバイス特性の約9割を決定する最重要工程 ■現在の主要開発領域（光素子設計部と同じ製品群のプロセス立ち上げ）・次世代EML（200G〜400Gb／s）・高出力・低消費電力CWレーザ・長距離対応波長可変レーザ

必要な経験・資格

必須要件

下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方・光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など・化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験：InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長（MOCVD／MBE／HVPE等）またはウェハプロセス開発経験。用途不問（パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など）・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む）

歓迎要件

下記いずれか満たす方は特に歓迎します・MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験・量子井戸構造の成長制御経験・再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験・LED開発経験・光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験（材料メーカー出身）・シリコンフォトニクス開発経験

求める人物像

・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢）・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方・「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方

給与

年収450万円～800万円

給与形態

月給制

昇給

1回

賞与

2回

諸手当

家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等

雇用条件

雇用形態

正社員

勤務時間

フレックスタイム制

就業時間

8:30〜17:15

勤務地

神奈川県

転勤

場合によりあり

マイカー通勤

ー

休日・休暇

年間120日以上／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）

年間休日120日以上

待遇・福利厚生

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金財形住宅貯蓄、企業年金基金、確定拠出年金制度、共済会、持株会、カフェテリアプラン制度(自主選択型福利厚生制度)、育児休業(満3歳到達まで）、短時間勤務(小学6年の3月末日まで)、介護休業(2年まで)、ジョブリターン制度

教育・研修

研修センター

退職金制度

会社概要

会社名

日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー

事業内容・沿革

■化合物半導体デバイスの設計・開発・製造

企業の特徴

【概要・特徴】日系大手非鉄金属メーカー傘下の通信機器デバイスメーカー。光通信用発光・受光デバイスや無線通信用高出力マイクロ波デバイスを主力製品としています。 5Gをはじめとするブロードバンド通信の発展やIoTの普及に対応する高性能・高品質な製品開発を行なっています。【強み】主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した電子デバイスは、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。【職場環境】関東に本社、事業所、工場を有しています。近年のキャリア採用比率は約20％～60％となっています。