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高周波化合物半導体エピ結晶成長技術開発及び量産展開
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発 ・MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化 ・新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立 ・量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化 ・結晶品質の評価・解析 ■業務の特徴 ・エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属。技術開発と量産展開の両面に携われます。 ・プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能にどう影響するかが直接見える環境です。