【半導体ウェハプロセス開発者＜電子デバイス＞】日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー（山梨県）の求人情報

仕事内容

■5G／6G基地局向けGaN－HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。個々のユニットプロセス（成膜、エッチング、フォトリソ等）の加工条件開発から、複数のプロセスを統合して製品化するインテグレーション業務まで、応募者のご経験に応じて幅広くご担当いただきます。【具体的には】・GaN－HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発（成膜、エッチング、フォトリソ等）・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化・複数プロセスのインテグレーション（製品別の技術統合）・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発【業務の特徴】・プロセスインテグレーションとユニットプロセス開発の両方の領域があり、ご経験に応じた配属が可能です・結晶成長やデバイス設計との連携が日常的にあり、自分の技術が製品にどう活きるかが見えやすい環境です

必要な経験・資格

必須要件

※下記いずれか必須・化合物半導体（GaN、GaAs等）のウェハプロセス開発経験・シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験・半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験

歓迎要件

・GaN－HEMTの開発経験・高周波デバイスに関する知識・プロセスインテグレーションの経験・量産立ち上げ・歩留まり改善の経験

求める人物像

・化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G／6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方・上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたいとお考えの方・チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方・腰を据えて長期的にキャリアを築きたいとお考えの方

給与

年収450万円～800万円

※月給：28万円〜 40万円 ※経験・能力等を考慮の上同社規定により決定

給与形態

月給制

昇給

1回

賞与

2回

諸手当

家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等

雇用条件

雇用形態

正社員

勤務時間

フレックスタイム制

就業時間

8:30〜17:15

勤務地

山梨県

転勤

場合によりあり

マイカー通勤

ー

休日・休暇

年間120日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）

年間休日120日以上

待遇・福利厚生

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金財形住宅貯蓄、企業年金基金、確定拠出年金制度、共済会、持株会、カフェテリアプラン制度(自主選択型福利厚生制度)、育児休業(満3歳到達まで）、短時間勤務(小学6年の3月末日まで)、介護休業(2年まで)、ジョブリターン制度

教育・研修

研修センター

退職金制度

会社概要

会社名

日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー

事業内容・沿革

■化合物半導体デバイスの設計・開発・製造

企業の特徴

【概要・特徴】日系大手非鉄金属メーカー傘下の通信機器デバイスメーカー。光通信用発光・受光デバイスや無線通信用高出力マイクロ波デバイスを主力製品としています。 5Gをはじめとするブロードバンド通信の発展やIoTの普及に対応する高性能・高品質な製品開発を行なっています。【強み】主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した電子デバイスは、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。【職場環境】関東に本社、事業所、工場を有しています。近年のキャリア採用比率は約20％～60％となっています。