化合物半導体プロセス開発エンジニア
【業務概要】 インフラ向け高速光通信を支える化合物半導体レーザのプロセス開発をお任せします。MOCVDによるエピタキシャル成長技術を中心に、3次元構造の形成技術確立や量産化に向けたプロセス最適化を主導していただきます。 【具体的な業務内容】 ・MOCVDを用いたエピ結晶成長プロセスの開発および技術確立 ・量子構造(QW)を含む複雑な積層構造の成長制御 ・選択成長・再成長プロセスを伴う立体デバイス構造の形成技術開発 ・前工程技術(薄膜成膜・エッチング等)の最適化 ・素子設計担当者とのディスカッションによる試作・特性評価・課題抽出 【技術のポイント】 ・InP/GaAsを中心とした化合物半導体プロセスを扱います。 ・結晶成長の品質がデバイス性能の根幹を握るため、プロセスエンジニアの知見が製品力に直結するやりがいがあります。 【ターゲット製品領域】 ・超高速通信用光送信デバイス ・高効率・高出力レーザ光源 ・波長制御技術を用いた通信用光源モジュール