仕事内容

【業務概要】インフラ向け高速光通信を支える化合物半導体レーザのプロセス開発をお任せします。MOCVDによるエピタキシャル成長技術を中心に、3次元構造の形成技術確立や量産化に向けたプロセス最適化を主導していただきます。【具体的な業務内容】・MOCVDを用いたエピ結晶成長プロセスの開発および技術確立・量子構造（QW）を含む複雑な積層構造の成長制御・選択成長・再成長プロセスを伴う立体デバイス構造の形成技術開発・前工程技術（薄膜成膜・エッチング等）の最適化・素子設計担当者とのディスカッションによる試作・特性評価・課題抽出【技術のポイント】・InP/GaAsを中心とした化合物半導体プロセスを扱います。・結晶成長の品質がデバイス性能の根幹を握るため、プロセスエンジニアの知見が製品力に直結するやりがいがあります。【ターゲット製品領域】・超高速通信用光送信デバイス・高効率・高出力レーザ光源・波長制御技術を用いた通信用光源モジュール

必要な経験・資格

必須要件

下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方・光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など・化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験：InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長（MOCVD／MBE／HVPE等）またはウェハプロセス開発経験。用途不問（パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など）・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む）

歓迎要件

下記いずれか満たす方は特に歓迎します・MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験・量子井戸構造の成長制御経験・再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験・LED開発経験・光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験（材料メーカー出身）・シリコンフォトニクス開発経験

求める人物像

・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢）・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方

給与

年収450万円～800万円

給与形態

月給制

昇給

1回

賞与

2回

諸手当

家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等

雇用条件

雇用形態

正社員

勤務時間

フレックスタイム制

就業時間

8:30〜17:15

勤務地

山梨県

転勤

場合によりあり

マイカー通勤

ー

休日・休暇

年間120日以上／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）

年間休日120日以上

待遇・福利厚生

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金財形住宅貯蓄、企業年金基金、確定拠出年金制度、共済会、持株会、カフェテリアプラン制度(自主選択型福利厚生制度)、育児休業(満3歳到達まで）、短時間勤務(小学6年の3月末日まで)、介護休業(2年まで)、ジョブリターン制度

教育・研修

研修センター

退職金制度

会社概要

会社名

日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー

事業内容・沿革

■化合物半導体デバイスの設計・開発・製造

企業の特徴

【概要・特徴】日系大手非鉄金属メーカー傘下の通信機器デバイスメーカー。光通信用発光・受光デバイスや無線通信用高出力マイクロ波デバイスを主力製品としています。 5Gをはじめとするブロードバンド通信の発展やIoTの普及に対応する高性能・高品質な製品開発を行なっています。【強み】主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した電子デバイスは、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。【職場環境】関東に本社、事業所、工場を有しています。近年のキャリア採用比率は約20％～60％となっています。