SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
職種/業界
研究・開発 / 自動車部品年収
550万円～1,100万円勤務地
愛知県豊田市 他同社にて、SiC、GaNパワー半導体（SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、ならびにSiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・パワーデバイスの企画、技術動向調査 ・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発 ・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計 ・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析 ・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発 ・パワーデバイス用加工装置の導入および改造 ※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズテクノロジーズに出向いただきます。 【業務のやりがい・身につくスキル】 ・SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につきます。 ・CAE／CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養うことができます。 ・自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発に思う存分チャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行えます。 ・社内外の専門家、大学、研究機関との連携／協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能になります。 ・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進める事ができます。 ・地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられます。