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半導体ウェハプロセス開発者<通信デバイス>
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。個々のユニットプロセス(成膜、エッチング、フォトリソ等)の加工条件開発から、複数のプロセスを統合して製品化するインテグレーション業務まで、ご経験に応じて幅広くご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発(成膜、エッチング、フォトリソ等) ・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化 ・複数プロセスのインテグレーション(製品別の技術統合) ・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発 【業務の特徴】 ・プロセスインテグレーションとユニットプロセス開発の両方の領域があり、ご経験に応じた配属が可能です ・結晶成長やデバイス設計との連携が日常的にあり、自分の技術が製品にどう活きるかが見えやすい環境です