三菱ケミカル株式会社
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プロセス開発＜GaNのフォトリソグラフィ工程＞
職種/業界
プロセスエンジニア / 有機化学年収
836万円～1,289万円勤務地
茨城県牛久市GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。 【具体的には】 ■プロセス開発・条件最適化 ・GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。 ■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発 ・自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。 ・専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。 ■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発 ・MOCVD等による薄膜形成の経験も活かせる環境です。