【プロセス開発＜GaNのフォトリソグラフィ工程＞】三菱ケミカル株式会社（茨城県牛久市）の求人情報

GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。 【具体的には】 ■プロセス開発・条件最適化 ・GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。 ■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発 ・自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。 ・専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。 ■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発 ・MOCVD等による薄膜形成の経験も活かせる環境です。

※以下の全てを満たす方 ■半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験（目安3年以上） ■ 半導体材料のフォトリソグラフィ技術・成膜技術の専門知識 ■下記のいずれかの実務経験（GaNに関する経験は尚可。最先端の知見は不問で、基礎的なプロセス技術があれば可） ・半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験 ・金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等） ■理系のバックグラウンド（物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学等）

・化合物半導体（GaN、SiC等）のデバイス・基板の開発／量産に携わった経験 ・化合物半導体の結晶成長技術（MOCVD等）の経験 ・化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験 ・英語力

・製造現場（オペレーター）を巻き込み、指示書をもとに工程を動かしていけるコミュニケーション力をお持ちの方 ・将来的にチームを牽引するリーダー／マネジメントを志向される方（技術者でありながらマネジメントにも意欲のある方）

※上記想定年収は残業20H／月込の年収です。 ※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はありません。