フラッシュメモリトップレベルシェアの日系半導体メーカー
フラッシュメモリトップレベルシェアの日系半導体メーカー
研究開発＜次世代3Dメモリ＞
職種/業界
研究・開発 / 半導体年収
550万円～1,260万円勤務地
三重県下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■3次元メモリ向け新規技術の研究開発：新たなメモリ構造やデバイスコンセプトの先行開発を行います。物理的限界を打破するための技術探索を行っていただきます。 ■プロセスフローの設計・実装・検証・改善提案：考案したデバイス構造を具現化するため、成膜、リソグラフィ、エッチングなど製造工程を組み合わせ、最適なプロセスフローを設計いただきます。 ■量産適用に向けた技術移管支援：開発した最新技術を、四日市工場などの大規模量産ラインへスムーズに導入するための調整・支援を行っていただきます。 ■デバイス特性評価（電気特性、信頼性試験）および解析：試作ウェハーの電気特性や信頼性の測定・解析を行い、測定データから構造上の課題や物理現象を突き止めます。 ■製造・設計・材料開発部門との連携による開発推進半導体開発は多岐にわたる専門技術の集合体であるため、回路設計、材料開発、装置エンジニアなどの各部門と連携します。 ■技術動向の調査および社内外への技術報告：国内外の学会や論文から最新の技術トレンドを調査し、開発戦略に反映させます。社内報告や特許出願、学会発表なども行います。 ■3Dメモリの設計・解析・最適化業務：デバイスシミュレータ（TCAD）を用い、実際の試作前にデバイス構造や製造条件の最適化を行います。物理モデルに基づいた予測を行うことで、開発期間の短縮と高精度な設計を実現します。