【次世代3Dメモリの研究開発】キオクシア株式会社（三重県四日市市）の求人情報

次世代の3Dメモリに向けた新規技術の研究開発を担当いただきます。新たなブレークスルー技術の探索、設計、試作、検証を通して、さらなる大容量化・高性能化の実現を実感できるチャレンジングな業務です。あなたの仕事が将来のAIやデータセンターを支えます。 【具体的には】 ・3次元メモリ向け新規技術の研究開発：新たなメモリ構造やデバイスコンセプトの先行開発を行います。物理的限界を打破するための技術探索を行います。 ・プロセスフローの設計・実装・検証・改善提案：考案したデバイス構造を具現化するため、成膜、リソグラフィ、エッチングなど製造工程を組み合わせ、最適なプロセスフローを設計します。 ・量産適用に向けた技術移管支援：開発した最新技術を、四日市工場などの大規模量産ラインへスムーズに導入するための調整・支援を行います。 ・デバイス特性評価（電気特性、信頼性試験）および解析：試作ウェハーの電気特性や信頼性の測定・解析を行い、測定データから構造上の課題や物理現象を突き止めます。 ・製造・設計・材料開発部門との連携による開発推進：半導体開発は多岐にわたる専門技術の集合体であるため、回路設計、材料開発、装置エンジニアなどの各部門と連携します。 ・技術動向の調査および社内外への技術報告：国内外の学会や論文から最新の技術トレンドを調査し、開発戦略に反映させます。社内報告や特許出願、学会発表なども行います。 ・3Dメモリの設計・解析・最適化業務：デバイスシミュレータ（TCAD）を用い、実際の試作前にデバイス構造や製造条件の最適化を行います。物理モデルに基づいた予測を行うことで、開発期間の短縮と高精度な設計を実現します。

以下、全てのご経験をお持ちの方 ・研究開発業務の経験をお持ちの方（異業種・大学研究室でも可） ・技術的な課題に対して論理的に考え、報告・提案した経験をお持ちの方

・英語での技術文書読解やコミュニケーション能力 ・半導体関連の業務経験 ・TCADツールの開発または製品開発への実務経験をお持ちの方 ・半導体デバイスの物理モデルに関する知識、およびTCADキャリブレーションの経験をお持ちの方 ・AI・機械学習を活用したデバイス開発の最適化に関する知識・経験をお持ちの方

※年収例 ・950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与） ・680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与）