次世代メモリの研究開発<酸化物半導体>
■酸化物半導体デバイスの開発、酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発を担当していただきます。 【具体的には】 ・デバイス特性の原理構築(物理の解明):酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立 ・酸化物半導体素子のモデル化と最適化:TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化 ・デザインルールの策定(設計ルール定義):将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義 ・グローバルプレゼンスの確立:ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出 ※ステークホルダー/関係者:先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しています。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。 【使用ツール】 ・電気特性測定:DCテスター、メモリテスター ・物理・故障解析:発光解析装置 ・データ解析・可視化:統計的解析ツール(Spotfire) ・自動化・高度解析:Python