基材開発・積層プレス工法開発＜ICパッケージ基板＞
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職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体年収
500万円～960万円勤務地
岐阜県大垣市国内工場の次世代基材の開発および積層プレス工法の開発のメンバーとしてご活躍いただきます。半導体のマルチコア化に対応する次世代の基板構造開発に取り組んでおり、低反り化を目的とした熱に強い低CTE（熱膨張率）基材」の開発や高精度な組み合わせ・積層プレス工法の確立にむけた技術開発を行っていただきます。前処理からプレス工程にわたる量産技術の構築を新材料の開発・評価から、超精密なプレス工法の構築、そして国内外の新工場への量産展開までを一気通貫で担当します。 【具体的には】 1.サプライヤーとの共同開発 材料メーカーやプレス機械メーカーと打ち合わせを行い、次世代のAI半導体向けに必要となる基材やプレス機の共同開発 2.低CTE基材開発の社内プロセス評価 共同開発した基材を社内の設備でテスト。自身で評価計画を立て、「本当に熱で歪まないか」「化学的な性質に問題はないか」を実験・分析を通じて検証 3.マルチコア高精度プレス評価 テストをクリアした材料を使用し、前処理・組み合わせ・プレスの各工程を検証。ミクロン単位のズレなく均一に熱と圧力をかけられるよう、機械の条件（温度・気圧・時間など）を細かく調整。 4.国内外工場の立ち上げ 実験レベルで確立した技術を、実際の生産ラインへ導入。同社の最先端大型プロジェクトである工場の新ラインに新規設備を導入し、24時間安定して大量生産できる仕組みを構築。 国内で確立した技術パッケージを海外工場へ展開。将来的には定期的な海外出張等を通じて現地に赴き、現地のスタッフや機械に対して指導・立ち上げを行い、世界中で大量生産できる体制を完成。