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半導体/技術職(機械・電気)/年収1200万円以上/30代の求人・転職・中途採用情報

公開求人176件中 151〜176件表示
東芝デバイス&ストレージ株式会社
東芝デバイス&ストレージ株式会社

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プロセス開発エンジニア/ユニットプロセス<ディスクリート半導体>

職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
石川県能美市

■ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、下記の業務を担当していただきます。 【具体的には】 パワーデバイスのプロセス開発、装置開発 同社はこれまで、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。 今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 ①300mmウエハー対応の製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材。 ②化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材。 上記に従事いただける方を募集しております。

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東芝デバイス&ストレージ株式会社

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製品開発エンジニア<化合物半導体>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
兵庫県揖保郡太子町

■化合物半導体の製品開発エンジニアとして、下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・パワーモジュール パッケージ開発 ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【働く環境】 SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験いただきながらPDCAを回しやすい職場環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方におすすめの求人です。

東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー
東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー

DFTエンジニア・マネージャー

職種/業界
実験・評価・解析 / 半導体
年収
678万円~1,519万円
勤務地
愛知県

■同社にて、DFT業務全般をご担当いただきます。 【具体的には】 ・SoC製品のDFT仕様策定、検討 ・EDAツールを活用した製品のDFT設計 ・DFT設計タスクの自動化環境の構築 ●将来のキャリアパス ・まずはDFT・テストの専門エンジニアとして技術スキル・マネジメントスキルの向上・拡大を目指す ・適正に応じて、SoC製品の上流設計、レイアウト設計、量産サポートなどの業務を経験頂く事も可能 ・将来的にはSoCの製品企画、商談対応、開発マネジメント推進などの業務推進可能性有 ・海外勤務(北米,欧州,台湾,中国など)も希望があれば可能

東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー
東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー

SoC開発-デジタルレイアウト設計エンジニア

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
678万円~1,352万円
勤務地
愛知県

■同社にて、以下の業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・デジタルレイアウト設計開発業務 ・プロジェクトステータス、トラブルシューティングプロセス、技術的な調査結果及び事後分析レポートの作成も行いプロジェクトメンバーへ報告する。また、顧客の現地言語若しくは英語を用いて直接顧客へ報告を行う場合あり。 ・部門横断的なチームと緊密に連携しながら、プロジェクトで生じる技術的な問題解決を行う。 ・より良い方法を考え、作業手順改善活動を行う、またプロジェクト終了時には結果を振り返り、次プロジェクトへの反省及び対策を行う。 ●将来のキャリアパス ・デジタルレイアウト設計チームリーダー ・日本/海外拠点でのデジタルレイアウト設計プロジェクトリーダー ・デジタルレイアウト設計における設計フロー開発担当

東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー
東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー

SoC開発-デジタルレイアウト設計リーダー

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
744万円~1,352万円
勤務地
愛知県

■同社にて、以下の業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・プロジェクト成功へ向けた戦略立案、進捗管理等のプロジェクトマネジメント業務 ・日本及び海外顧客に対してプロジェクトステータス、トラブルシューティングプロセス、技術的な調査結果、及び事後分析レポートを現地言語若しくは英語を用いて行う報告業務、及び社内への報告 ・部門横断的なチームと緊密に連携しながら、メンバと共にプロジェクトで生じる技術的な問題解決を行う。 ・より良い方法を考え、作業手順改善活動を行う、またプロジェクト終了時には結果を振り返り、次プロジェクトへの反省及び対策を行う。 ・プロジェクトメンバ、プロジェクトコスト管理 ・デジタルレイアウト設計開発業務 ※プロジェクトによっては一部業務をご担当いただく場合もあります。 ●将来のキャリアパス ・日本/海外拠点でのデジタルレイアウト設計プロジェクトリーダー ・複数のデジタルレイアウト設計プロジェクトを統括する統括リーダー

東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー
東証プライム上場 SoCの設計・開発・販売を行う日系ファブレスメーカー

テスト関連エンジニア・マネージャー

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
678万円~1,519万円
勤務地
愛知県

■同社にて、製品テスト設計、テスト立ち上げ業務全般をご担当いただきます。 【具体的には】 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用いた実製品の評価、および量産化に向けた各種業務の推進 ●将来のキャリアパス ・まずはテストの専門エンジニアとして技術スキル・マネジメントスキルの向上・拡大を目指す ・適正に応じて、SoC製品のDFTやレイアウト設計、量産サポートなどの業務を経験頂く事も可能 ・将来的にはSoC製品の製品企画、商談対応、開発プロジェクトマネジメント推進などの業務推進可能性有 ・海外勤務(北米,欧州,台湾,中国など)も希望があれば可能

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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製品開発エンジニア<ディスクリート半導体>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
福岡県豊前市

■ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する下記の業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCA) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【対象デバイス】 ※()内は想定勤務地です。 ・IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市) ・アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市) ・パワーMOSFET(石川県能美市) ・小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)  ・小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市)

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アプリケーションエンジニア<光半導体>

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
福岡県豊前市

■同社にて、下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・半導体製品企画 ・半導体製品/応用装置における評価 ・デジタルマーケティング用技術コンテンツ企画、制作 ・営業技術業務 など 同部門は光絶縁デバイスの開発・提案業務を担っており、特に車載向け製品と、メカリレーから半導体リレー化に対応する製品に従事する技術者を募集しています。 1製品当たりの開発スパンは1年~1年半となり、製造技術部門、組立技術部門などと連携して開発を進めています。得意への提案では、営業部門、関係会社の営業技術部門、海外の現地法人とも連携しており、多くの関係部門とのコミュニケーションが重要となります。

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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プロセス開発エンジニア<ディスクリート半導体>

職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
兵庫県揖保郡太子町

■ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、パワーデバイスのプロセス開発、装置開発を担当していただきます。

フラッシュメモリを手がける外資系メーカー
フラッシュメモリを手がける外資系メーカー

プロセスエンジニア<フラッシュメモリー>

外資系企業
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
500万円~1,300万円
勤務地
三重県

【職務内容】 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当していただきます。 【担当工程】※いずれかの工程を担当していただきます ドライエッチング/ウェットエッチング(洗浄)/CMP(平坦化)/PE-CVD/LP-CVD/Metal/Diffusion・イオン注入/リソグラフィ 【具体的には】プロセスエンジニアの業務は大きく分けると下記の3つとなります。 (1)次世代量産技術の確立:量産用新機種評価。生産コスト低減など (2)微細化製品の量産化:量産設備導入立ち上げ、新製品生産レシピ条件と運用決定、歩留り改善 (3)量産プロセス安定化:マージン評価、工程能力向上、新機種/号機間ばらつき改善 品質、コスト、生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事して頂きます。 【ポジションの魅力】 ■技術を極めることが出来ます:プロセスエンジニアは、上記のいずれかの工程を担当し、その工程の技術を深め、技術レベルの向上に注力頂きます。 ■視野を広げることが出来ます:半導体ビジネスの観点で、いかに利益を上げるかという視点を持つことが重要です。そのため、日々の業務を通じて、技術だけではなくビジネス感覚、視野の広さも手に入れることができます。

工場ファシリティの工事/保守担当

転勤なし
職種/業界
設備保全 / 半導体
年収
850万円~1,200万円
勤務地
長野県茅野市

■ご経験や適性に応じて、以下いずれかの業務を担当いただきます。 ①自社工場や福利厚生施設の空調設備の設置、内装、電気配線等の工事業務 ②自社設備の維持管理を担当 【具体的には】 ・工場設備(電気設備、 空調設備、給排水設備など)の設計、施工 ・工場のインフラ設備の管理業務全般 ・ポンプや配管、コンプレッサーなどを中心とする、工場設備の保守・メンテナンス ・新工場稼働後も、進化する工場を目指し常にインフラの最適化 ・実際の作業を通して、効率の良い作業方法のアイデアを出し、実現していくこともミッションです

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LSI設計<バックエンド>

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
神奈川県川崎市幸区

■マイコン・システム LSIのバックエンド設計をご担当いただきます。 【具体的には】ご経験に合わせてご担当いただきます(一度に複数製品を担当し、プロジェクト単位で設計を実施。) P&R/レイアウト、チップ実装、物理設計、Low Power 設計、設計メソドロジ開発、STA/タイミング設計 【担当製品】マイコン・システム LSI、アナログIC(モータ制御IC、デジタルアイソレータ、リニアセンサー)など ■マイコン:特にモーター制御分野にて高いシェアを獲得しています。同社が得意とするパワーデバイスとの組み合わせによるソリューション提案力が強みです。 ■LSI:高性能な画像認識処理を実現するLSIとして高評価を得ています。顧客要求に合わせたカスタマイズなどを実施しています。 ■アナログIC:パワー系、モーター制御系に強みがあります。 【働き方】 ■残業時間:月20時間程度 ■在宅勤務:週2~3日程度 【キャッチアップ体制】OJT制度/研修資料(会社として多数の研修動画、ドキュメントを用意しています)による学習 【本部署の立ち位置と今後の将来性】 本ポジションの所属する半導体事業部は企業売上の土台を担っており、多数のIC製品を扱い、広い事業分野で需要が高まっています。自社の強みであるアナログ技術を活かし、よりアナログIC開発を強化していく方針を取っています。

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アナログIC設計開発エンジニア

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
神奈川県川崎市幸区

■アナログICの設計開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ■回路設計(設計・検証) ■製品評価・解析 ■DFT設計 ■開発業務管理 ■信頼性評価 ■量産立上業務 【製品】 アナログIC(民生・産業MCD、車載MCD、リニアセンサ、デジタルアイソレータ、IPD、LDO,efuseIC等)

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アナログIC設計

職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
神奈川県川崎市幸区

■アナログIC製品の設計開発をご担当いただきます。 【具体的には】※ご経験に応じて配属先、担当製品が決定いたします。 ■回路設計(設計・検証) ■製品評価・解析 ■DFT設計 ■開発業務管理、信頼性評価、量産立上業務 【配属先、担当製品】民生産業IC、車載IC、イメージセンサ、デジタルアイソレータ 【働き方】 ■在宅勤務:週2~3日 ■転勤:ほぼなし/出張:年1回程度、国内、数日間 【同社の車載向けIC製品について】 EV市場は堅調な成長を見せており、2030年には販売台数が4,000万台に達するとの予測も建てられています。 EV市場拡大において車載向けIC製品は必要不可欠な存在であり、同社の製品も国内外問わず需要が高まっている状態です。 特にマイコン内蔵ゲートドライバーIC「SmartMCD」などは、マイコンとゲートドライバーICを一つのチップに統合することで部品点数の削減、設計の簡素化に貢献するなど、混載ICの需要が高まっています。

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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製品開発エンジニア<ディスクリート半導体>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
石川県能美市

■ディスクリート半導体に関する下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■デバイス設計 ■シミュレーション(TCA) ■試作・性能評価・解析 ■量産立上業務 【対象デバイス】 ■IGBT、ダイオード、パワーモジュール ■パワーMOSFET

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アプリケーションエンジニア<ハイパワー半導体>

職種/業界
セールスエンジニア・FAE / 半導体
年収
450万円~1,200万円
勤務地
兵庫県揖保郡太子町

■半導体応用技術センターにて下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・半導体製品企画 ・半導体製品/応用装置における評価 ・デジタルマーケティング用技術コンテンツ企画、制作 ・営業技術業務 など <補足> ・アプリケーション毎にチームを組み、市場のトレンドや顧客の声を基に、製品開発部門や営業推進部門と連携し半導体製品の製品企画・製品評価・応用評価を行いながら、顧客との双方向コミュニケーションによる拡販活動を行います。 ・さらには、デジタルマーケティング用の技術コンテンツを企画・制作し、オンラインでの積極拡販も推進していく仕事です。 ・アプリケーションエンジニアとして、技術的な視点から顧客のニーズに応え、より良い製品のソリューション開発・拡販していくことは非常にやりがいのある仕事です。

外資系EDAツールベンダーの日本拠点
外資系EDAツールベンダーの日本拠点

アプリケーションエンジニア<デジタルインプリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
セールスエンジニア・FAE / 半導体
年収
~1,549万円
勤務地
神奈川県

■ツールに関する顧客向け技術プリセールス、及び、ポストサポート業務を担当していただきます。

フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
650万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

■フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新 【入社後のキャリア】 これまでの経験を活かして、化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成を担当いただく可能性もあります。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。また、当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートの可能性もあります。

単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計<パワー半導体向け>

職種/業界
生産技術 / 半導体
年収
650万円~1,430万円
勤務地
愛知県日進市 他

■同社にてパワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 【業務のやりがい・魅力】 ・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます ・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます ・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます ・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます ・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー
海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー

デザインエンジニア<DRAM/アナログ回路>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県

■デザインエンジニアとして、DRAMの設計・開発を担当していただきます。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<NANDフラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,500万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、NANDフラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計 ■ロジック検証 【求人の魅力について】 NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【同社について】 1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。 今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。 NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。

デバイス設計・評価<フォトニクスデバイス>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,000万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

同社では現在、新規ポートフォリオ拡大に向け、最注力分野の1つとして、フォトニクス領域、特に光半導体デバイスの事業拡大を目指しています。R&D部門では、フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大を目指し、現在複数の研究開発が進められています。2026年へ向けて高速PDとPIC、更に2030年を目標にCPO(Co-packaged Optics)に関わる開発を推進している段階です。この度は、光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための人員増強として、本求人を募集します。 ※同社求人票としては「フォトニクス/PICテストエンジニア」の名称となります。 【具体的には】 1.Si-Photoによるコヒーレント方式TxRx PICの設計 Lumericalや電磁界シミュレータ、Tanner等のCADを用いて、Si-Photo PICの構造/レイアウト設計を行う。回路シミュレーションやSパラメータ解析等の手法を用いてPIC全体の動作予測や性能試算を行い、PICの仕様を作成する。 2.PICの評価 VNAやAWGを用いてSi-Photoウェハ/PICの性能評価/動作実証を行う。得られた結果を解析し、PIC設計最適化と仕様策定にフィードバックする。また、試作開発と量産に適したSi-Photoウェハ/PICの評価系を構築し、評価手法を確立する。 【キャリアアップ】 通信用光集積回路の開発に必要な設計/評価技術のエキスパート 、もしくはフォトニクス製品開発を取りまとめるリーダ・マネージャーのキャリアがあります。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<フラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、不揮発性フラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■10~20nm世代のNAND設計開発 ■少数精鋭での開発のため広範囲の裁量 【同社製品について】 同社の扱うコード格納用のフラッシュメモリは、NOR型やSLC NAND型などで、応用機器でのプログラムの大型化と歩調を合わせた大容量化を目指しています。2019年には、NORフラッシュメモリ市場における売上シェアは22.8%で世界シェア1位を獲得しています。

デバイス設計エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
700万円~1,200万円
勤務地
栃木県下野市 他

同社の材料開発やプロセス開発の目標スペックに落とし込み、且つグローバルなパートナーと潜在顧客と同社の開発技術について英語で議論し、開発を推進頂きます。 【具体的には】 ■QD(半導体)デバイス設計 ■評価環境の構築 【このポジションの魅力】 メンバーの半分が外国人というグローバルな組織の中で、同社としても先進の試みであるグローバルな研究開発活動を推進していただきます。

光半導体プロセス開発エンジニア<Co-packaged Optics>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
600万円~1,200万円
勤務地
宮城県多賀城市

2024年より始まった、同社の中期経営計画「進化の実現」を進める中で、今後の持続的成長に向けた注力事業として「フォトニクス領域」を掲げています。R&D部門では、フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大を目指し、現在複数の研究開発が進められています。その中でも、フォトニクス商品開発室では、2026年へ向けて高速PDとPIC、更に2030年を目標にCPO(Co-packaged Optics)に関わる開発を推進している段階です。この度は、光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための人員増強としての採用をスタートしています。 【具体的には】 ■光半導体プロセス開発エンジニアとして、下記業務を担当していただきます。 ・化合物半導体デバイスのプロセス開発、通信向けフォトダイオードデバイスの製品化検討、プロセス及び評価関連の装置の検討と導入、それら装置の立ち上げと条件最適化 【業務のやりがい・魅力】 ・データセンター/長距離ネットワーク向け光トランシーバの高性能化においてキーとなる光集積回路の開発に携わることで、情報社会の発展に貢献できます。 ・設計/プロセス/計測等、フォトニクスの先端テクノロジーを結集し、国内外のパートナ企業と連携して進める光集積回路の開発に参加することで、個人のスキルが磨けるとともに、創意工夫を発揮した活躍ができます。

東証プライム、ICT分野に強みを持つ日系総合電機メーカー
東証プライム、ICT分野に強みを持つ日系総合電機メーカー

DFT回路設計リード・マネージメント <高性能プロセッサ開発>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,150万円~1,300万円
勤務地
神奈川県

■高性能プロセッサ開発におけるDFT回路設計リード・マネージメントをご担当いただきます。 【具体的には】 同本部では、数多くのサーバー製品、スーパーコンピューターやその一般展開HPC製品向け高性能プロセッサを開発しています。未来のデジタル社会を支える重要テクノロジーとしての高性能プロセッサを目指して開発を行っていただきます。本プロジェクトでは、数十億トランジスタ規模のプロセッサの開発において、ASICベンダと連携し、DFT回路設計全般のリード・マネジメントを職務として取り組んでいただきます。 【業務の魅力】 業界最先端技術に携わり、スーパーコンピュータをはじめとして、同社のフラッグシップであるHPC製品を支える仕事に従事し、社会貢献できている実感を得られます。海外のベンダとの定期的な打ち合わせにより英語を用いたグローバルなコミュニケーションスキルが身につきます。今後も最先端技術に挑戦し、それに応えられるプロセッサ開発業務は大きなやりがいが生まれるものと考えられます。 【期待される役割やミッション】 同ポジションは、幹部社員として、プロセッサの開発、設計、検証に責任を負い、以下のミッションを担っていただきます。 ・技術的な専門知識を活かし、ASICベンダーのDFT担当者や同部の設計者と技術連携しながら開発を推進 ・プロジェクト計画に基づいたDFT全般のスケジュール、進捗を管理 ・故障カバレッジ・診断率の向上

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