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半導体/年収600万円以上/20代の求人・転職・中途採用情報
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マーケティング<MCU、モータードライバーIC製品>
■MCU、モータードライバーIC製品のマーケティング業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・事業戦略立案 Business Strategy (Product/Sales/Production) ・商品企画 Product planning ・プロジェクトマネージメント Project Management ・価格戦略 Pricing Strategy ・商品プロモーション Product Promotion ・顧客サービス Customer Service ・事業マネージメント Business Management
プロセス技術<半導体製品の前工程委託における委託先選定・管理、技術マネジメント>
■同社にて、下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・半導体製品全般の前工程外部委託における量産立ち上げ業務(設計環境、ウエハープロセス、品質について外部委託先と協議・調整など) ・開発設計部門への技術支援(外部委託先とのインターフェース) ・量産における歩留改善と技術支援(異常品の対応、歩留改善協議) ・委託先ウエハープロセスの品質管理・技術マネジメント(ウエハプロセス変更連絡に対する品質的・技術的可否判断とその管理など)
開発
■半導体製品のテストプログラム自動生成環境の開発を担当していただきます。 【具体的には】 システムLSI・MCU・イメージセンサ・アナログなどの半導体製品の生産では、検査装置をテスト用プログラムを用いて制御し、良品検査を行います。 半導体製品は、大規模化・高精度化・複雑化しており、人が作成するには日数がかかり、ミスも起こりやすいため、テスト用プログラムを自動で生成するシステムを開発することで課題解決を図っています。 ・各種分野の半導体製品を検査するテストプログラムの自動生成システム構築・改善 ・テストプログラムのデータベース管理/量産工場への自動転送環境の構築・改善 ・テストプログラム標準化のための設計ルールの検討・調整、及び、テストプログラム開発のルール検討・調整
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薬液ファシリティエンジニア(日勤)
■同社の管理する半導体工場におけるインフラ設備の設備保全業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・薬液供給設備システムのキャパ検証、導入、運用、トラブルシューティング 尚オペレーションは外部へ委託 ・薬液供給委託先の管理業務 ・設備メンテナンスの実行予算管理 ・設備、プロセス、その他関連部門と協力し、薬液供給設備システム運用における品質及び安定性の維持、FMEAによるリスク分析業務 ・構内薬液管理業務に付随する品質ISO、安全衛生管理、環境管理業務 ・構内薬液工事に於ける監理業務一式
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ガスファシリティエンジニア(日勤)
■同社の管理する半導体工場におけるインフラ設備の設備保全業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・ガス供給設備システムのキャパ検証、導入、運用、トラブルシューティング 尚オペレーションは外部へ委託 ・ガス供給委託先の管理業務 ・設備メンテナンスの実行予算管理 ・設備、プロセス、その他関連部門と協力し、ガス供給設備システム運用における品質及び安定性の維持、FMEAによるリスク分析業務 ・構内ガス管理業務に付随する品質ISO、安全衛生管理、環境管理業務 ・構内ガス工事に於ける監理業務一式
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水処理ファシリティエンジニア(日勤)
■同社の管理する半導体工場におけるインフラ設備の設備保全業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・水処理設備システムのキャパ検証、導入、運用、トラブルシューティング 尚オペレーションは外部へ委託 ・各種水量予測と実績管理 ・水処理供給委託先の管理業務 ・設備メンテナンスの実行予算管理 ・設備、プロセス、その他関連部門と協力し、水処理供給設備システム運用における品質及び安定性の維持、FMEAによるリスク分析業務 ・構内水処理管理業務に付随する品質ISO、安全衛生管理、環境管理業務 ・構内水処理工事に於ける監理業務一式
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施設管理(ユーティリティ設備/日勤)※施工管理経験者可
■同社の管理する半導体工場におけるインフラ設備の設備保全業務をご担当いただきます。(建築・電気・空調・給排水・ガス、それぞれで募集) 【具体的には】 ・各設備システムのキャパ検証、導入、運用、トラブルシューティング 尚オペレーションは外部へ委託 ・各種水量予測と実績管理 ・水処理供給委託先の管理業務 ・設備メンテナンスの実行予算管理 ・設備、プロセス、その他関連部門と協力し、水処理供給設備システム運用における品質及び安定性の維持、FMEAによるリスク分析業務 ・構内水処理管理業務に付随する品質ISO、安全衛生管理、環境管理業務 ・構内水処理工事に於ける監理業務一式
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ASIC/SoC設計エンジニア< Back-End>
■先端プロセス製品開発の需要拡大、更なる高パフォーマンス化に向けての増員採用。大手半導体メーカー出身のエンジニアと共にバックエンド設計をご担当いただきます。 【具体的には】 - レイアウト設計(Floorplan~配置~CTS~配線~Timing収束~PV収束) - Pin-Assignment(外部端子、Ball-Pin等)、BUMP設計、RDL - STA結果解析 & Timing収束 - 電源配線構造検討&電源Mesh配線 - Physical Verification(DRC、LVS 等) - IR-drop解析&収束 【特徴】 ■TSMCが持つ唯一のASIC設計半導体メーカーです。同社は台湾に本社を置き、アメリカ・ヨーロッパ・韓国・中国などグローバルに展開しており、2005年に日本法人として設立されたグループ唯一の「半導体製品・設計開発メーカー」です。TSMC2nm/7nm/6nm/3nmの世界初製品を設計開発したのも同社であり、高い技術力のなかで設計が可能です。 ■働きやすい環境です。 みなとみらい横浜ランドマークタワーが拠点となり、無料の各種ドリンクやスナック等が設置されているリフレッシュコーナーを完備。一般的な社会保険に加え、民間保険会社の医療保険、生命保険に加入。保険料は会社が負担。年間休日129日(2021年度実績)コアタイムなしのフレックスタイム制であり、柔軟な働き方が可能です。社員と社員の家族を大切にする代表の考えの下、長期勤務が出来るための制度・施策を多数導入しています。
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ASIC/SoC設計エンジニア<Front-End>
■先端プロセス製品開発の需要拡大、更なる高パフォーマンス化に向けての増員採用。大手半導体メーカー出身とともにフロントエンド設計をご対応いただきます。 【具体的には】 適正に応じて以下の業務をご担当いただきます。 - RTL ~ 論理合成&形式検証 - 顧客から受け入れたNetlist/SDC/UPF、CPF、Library等の受け入れチェック - STA (実行&解析&修正、Timing解析&Timing収束戦略立案 等) - STA制約改善提案&修正 等 - 顧客への回路改善提案(低消費電力化、高speed化、小サイズ化 等向け) 【特徴】 ■TSMCが持つ唯一のASIC設計半導体メーカーです。同社は台湾に本社を置き、アメリカ・ヨーロッパ・韓国・中国などグローバルに展開しており、2005年に日本法人として設立されたグループ唯一の「半導体製品・設計開発メーカー」です。TSMC2nm/7nm/6nm/3nmの世界初製品を設計開発したのも同社であり、高い技術力のなかで設計が可能です。 ■働きやすい環境です。 みなとみらい横浜ランドマークタワーが拠点となり、無料の各種ドリンクやスナック等が設置されているリフレッシュコーナーを完備。一般的な社会保険に加え、民間保険会社の医療保険、生命保険に加入。保険料は会社が負担。年間休日129日(2021年度実績)コアタイムなしのフレックスタイム制であり、柔軟な働き方が可能です。社員と社員の家族を大切にする代表の考えの下、長期勤務が出来るための制度・施策を多数導入しています。
デジタル設計<センサ用IC>
■同社の半導体事業部にて、下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・センサ用ICのデジタル設計 【半導体事業部について】 同社半導体事業部は、アナログ半導体(パワー半導体を含む)を製造しており、自社ブランドの半導体開発から設計、製造まで一気通貫で行う事業とお客様の半導体を受託生産する事業(ファウンドリ)を行っています。アナログ技術を活かす4つの製品領域で高精度・高速・高耐圧・小型化を追求しています。 (1)電池(リチウムイオン電池保護IC、電池残量予測IC、充電制御IC) (2)電源(システムリセットIC、LDO、DC/DCコンバータ、AC/DC電源用IC) (3)センサ(MEMSセンサ、温度/電流センサ、AFE/ADC) (4)IGBT & FRD(EV(自動車)、産機市場向けIGBT) 近年、エイブリック社の子会社化やオムロンや日立グループの半導体事業の一部を譲受するなどして、同社の強味をさらに強化し、市場での立ち位置をより明確なものにしております。国内拠点は、厚木、千歳、滋賀(MMIセミコンダクター社)の他、開発センターとして岐阜、群馬に事務所を構えています。海外は生産拠点として、フィリピンに拠点を構えています。 ※入社後すぐ在籍出向となり、出向元がミツミ電機株式会社、出向先はMMIセミコンダクター株式会社となります。(年収や待遇などは全社統一です)
※オープンポジション※半導体設計/デザインエンジニア<3・5nmプロセス含む先端半導体デバイス>
同社グループは、世界中に最先端プロセスでのファウンダリーを有しており、世界主要トップメーカーからの製造受託製造開発を行っています。その中で、世界各国の主要トップ半導体メーカーからの受注に向け、最先端ツール・プロセスを用いたデザインテクノロジープラットフォーム(DTP)を有しています。 同ポジションでは、同社デザインエンジニアリング部隊(設計スペシャリスト部隊)にて、世界各国のデバイスメーカーと連携を取り、円滑な設計・開発を進めるためのエンジニアリング設計業務を行っていただきます。 【具体的には】以下の通り幅広いポジションで採用を行っています。 APR・物理設計/アナログ回路設計/メモリ設計/レイアウト設計/標準セル設計/特性評価エンジニア/合成エンジニア/DFTエンジニア/設計検証/CADエンジニア等 <採用に際して> ポテンシャル・即戦力を含む回路設計ポジションを募集しています。 【同社おすすめ理由】 ■最先端プロセス設計が可能: 世界各国のデザインセンターにおいて最新の拠点が同拠点です。3nm,5nmのプロセスノードでのツール含めた半導体設計が可能であり、唯一無二の設計開発が可能です。 ■世界トップの主要デバイスメーカー向け設計が可能: 基本的に海外主要企業向け設計業務を行いますため、常に最新の設計スキルが身につきます。
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施設管理
■半導体製造の工場にて施設設備の管理および用力工事を担当していただきます。 【具体的には】 ・半導体工場の施設設備(空調、電気、ガス、排気、排水等)の管理・工事等 【半導体事業部について】 同社半導体事業部は、アナログ半導体(パワー半導体を含む)を製造しており、自社ブランドの半導体開発から設計、製造まで一気通貫で行う事業と顧客の半導体を受託生産する事業(ファウンドリ)を行っています。 アナログ技術を活かす4つの製品領域で高精度・高速・高耐圧・小型化を追求しています。 (1)電池(リチウムイオン電池保護IC、電池残量予測IC、充電制御IC) (2)電源(システムリセットIC、LDO、DC/DCコンバータ、AC/DC電源用IC) (3)センサ(MEMSセンサ、温度/電流センサ、AFE/ADC) (4)IGBT & FRD(EV(自動車)、産機市場向けIGBT) 【補足】 入社後すぐ在籍出向となり、出向元がミツミ電機株式会社、出向先はMMIセミコンダクター株式会社となります。(年収や待遇などは全社統一です)
開発プロセス支援/開発環境整備<半導体組込みソフトウェア開発>
■半導体組込みソフトウェア開発における開発プロセス支援および開発環境整備を担当していただきます。 【具体的には】 ・ソフトウェア開発の品質向上に向けた、開発部門へのツール活用の支援・推進、およびサーバ環境等、開発環境の整備・改善 ・組込みソフトウェア開発における会社標準開発プロセスの改善 ・近年脅威を増す製品セキュリティに対する開発テーマの支援、および組織的対応の仕組みの維持・改善 ・安全社会を実現するための機能安全開発要求に対する開発テーマの支援、および組織的対応の仕組みの維持・改善
企業内法務
■同社にて企業内法務を担当していただきます。 【具体的には】 (1)事業活動上の法的判断と対応 ・事業活動において関連する法律に対するリーガルレビューや判断および活動支援 (2) 契約書作成・レビュー業務 ・委託/受託、共同開発、NDAなどの契約締結における条項文の構築、法的解釈、従業員指導など (3)コンプライアンス指導・教育 ・独占禁止法、下請法、契約遵守など、一連のコンプライアンスに対するリスク判断、対応策提案、従業員への教育など (4)法務業務の仕組み・運用 ・法務業務の効率化に向けた仕組みの構築・運用や、DX推進など
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営業・購買<半導体材料>
■薄膜材料や半導体材料等の営業・購買業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・顧客対応:メール、EDIなどによる見積もり書の作成から始まり、納品後のフォローまで一気通貫で対応にあたっていただきます。 その過程で社内への依頼(事務対応や製品製作など)を行っていただき、司令塔の役割を担っていただきます。 ・市場開発:展示会や学会への出展、広告掲載、顧客訪問などによる拡販をご担当いただき、同社の魅力をアピールするとともに、マーケティング(業界のトレンド、ニーズの探索など)にも関わっていただきます。
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プロセス開発エンジニア<GaN>
■同社にて、パワー半導体<GaN>におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術開発 ・量産化技術開発 ■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など) ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など) ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価
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