材料・デバイス・プロセス研究<電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体>
同社にて、パワーデバイス材料研究、デバイス開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・ウェハガス成長法の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 【業務のやりがい・身につくスキル】 ・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。 ・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。 ・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。 ◎キャリア入社比率:約40%(半導体材料メーカ、家電メーカ、メモリ半導体メーカ、半導体装置メーカ、大学・研究機関からの入社者が在籍) ◎在宅勤務:週1回程度