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半導体/技術職(機械・電気)/年収1100万円以上/外資系企業の求人・転職・中途採用情報

公開求人60件中 51〜60件表示
世界トップクラスの外資系半導体ファンドリーの日本法人
世界トップクラスの外資系半導体ファンドリーの日本法人

※オープンポジション※半導体設計/デザインエンジニア<3・5nmプロセス含む先端半導体デバイス>

外資系企業
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
500万円~1,200万円
勤務地
神奈川県

同社グループは、世界中に最先端プロセスでのファウンダリーを有しており、世界主要トップメーカーからの製造受託製造開発を行っています。その中で、世界各国の主要トップ半導体メーカーからの受注に向け、最先端ツール・プロセスを用いたデザインテクノロジープラットフォーム(DTP)を有しています。 同ポジションでは、同社デザインエンジニアリング部隊(設計スペシャリスト部隊)にて、世界各国のデバイスメーカーと連携を取り、円滑な設計・開発を進めるためのエンジニアリング設計業務を行っていただきます。 【具体的には】以下の通り幅広いポジションで採用を行っています。 APR・物理設計/アナログ回路設計/メモリ設計/レイアウト設計/標準セル設計/特性評価エンジニア/合成エンジニア/DFTエンジニア/設計検証/CADエンジニア等 <採用に際して> ポテンシャル・即戦力を含む回路設計ポジションを募集しています。 【同社おすすめ理由】 ■最先端プロセス設計が可能: 世界各国のデザインセンターにおいて最新の拠点が同拠点です。3nm,5nmのプロセスノードでのツール含めた半導体設計が可能であり、唯一無二の設計開発が可能です。 ■世界トップの主要デバイスメーカー向け設計が可能: 基本的に海外主要企業向け設計業務を行いますため、常に最新の設計スキルが身につきます。

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ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社

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プロセス開発エンジニア<GaN>

外資系企業
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
550万円~1,150万円
勤務地
富山県

■同社にて、パワー半導体<GaN>におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術開発 ・量産化技術開発 ■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など) ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など) ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価

世界トップクラスの外資系半導体ファンドリーの日本法人
世界トップクラスの外資系半導体ファンドリーの日本法人

※オープンポジション※半導体設計/デザインエンジニア<3・5nmプロセス含む先端半導体デバイス>

外資系企業
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
500万円~1,200万円
勤務地
神奈川県

■同社グループは、世界中に最先端プロセスでのファウンダリーを有しており、世界主要トップメーカーからの製造受託製造開発を行っています。その中で、世界各国の主要トップ半導体メーカーからの受注に向け、最先端ツール・プロセスを用いたデザインテクノロジープラットフォーム(DTP)を有しています。 同ポジションでは、同社デザインエンジニアリング部隊(設計スペシャリスト部隊)にて、世界各国のデバイスメーカーと連携を取り、円滑な設計・開発を進めるためのエンジニアリング設計業務を行っていただきます。 【具体的には】以下の通り幅広いポジションで採用を行っています。 APR・物理設計/アナログ回路設計/メモリ設計/レイアウト設計/標準セル設計/特性評価エンジニア/合成エンジニア/DFTエンジニア/設計検証/CADエンジニア等 <採用に際して> ポテンシャル・即戦力を含む回路設計ポジションを募集しています。 【同社おすすめ理由】 ■最先端プロセス設計が可能: 世界各国のデザインセンターにおいて最新の拠点が同拠点です。3nm,5nmのプロセスノードでのツール含めた半導体設計が可能であり、唯一無二の設計開発が可能です。 ■世界トップの主要デバイスメーカー向け設計が可能: 基本的に海外主要企業向け設計業務を行いますため、常に最新の設計スキルが身につきます。

レイアウトデザインエンジニア <メモリ半導体>

外資系企業
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
800万円~1,300万円
勤務地
神奈川県藤沢市 他

同社のレイアウトデザインエンジニアとして、以下の業務を担当していただきます。 ※経験に応じて以下業務のいずれかをを担当していただきます。 【具体的には】 ■NAND型フラッシュメモリのレイアウト設計業務 -チップレベルおよび大規模~中規模周辺回路でのフロアプラン検討および レイアウト設計・検証 -アナログ回路およびデジタル回路のマニュアルによるレイアウト設計 - 機能回路ブロックおよび配線のフロアプラン設計 ■CADエンジニアとの共同でレイアウト設計環境の構築およびその検証環境の構築 ■共同開発パートナ、自社他拠点とのインターフェイス 【働き方】 ■リモート勤務を合わせたハイブリット勤務可(出社:週3~)

フラッシュメモリを手がける外資系メーカー
フラッシュメモリを手がける外資系メーカー

プロセスエンジニア<フラッシュメモリー>

外資系企業
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
500万円~1,300万円
勤務地
三重県

【職務内容】 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当していただきます。 【担当工程】※いずれかの工程を担当していただきます ドライエッチング/ウェットエッチング(洗浄)/CMP(平坦化)/PE-CVD/LP-CVD/Metal/Diffusion・イオン注入/リソグラフィ 【具体的には】プロセスエンジニアの業務は大きく分けると下記の3つとなります。 (1)次世代量産技術の確立:量産用新機種評価。生産コスト低減など (2)微細化製品の量産化:量産設備導入立ち上げ、新製品生産レシピ条件と運用決定、歩留り改善 (3)量産プロセス安定化:マージン評価、工程能力向上、新機種/号機間ばらつき改善 品質、コスト、生産性の改善を目的とした量産化技術の開発、設備・プロセス立ち上げ業務に従事して頂きます。 【ポジションの魅力】 ■技術を極めることが出来ます:プロセスエンジニアは、上記のいずれかの工程を担当し、その工程の技術を深め、技術レベルの向上に注力頂きます。 ■視野を広げることが出来ます:半導体ビジネスの観点で、いかに利益を上げるかという視点を持つことが重要です。そのため、日々の業務を通じて、技術だけではなくビジネス感覚、視野の広さも手に入れることができます。

フラッシュメモリを手がける外資系メーカー
フラッシュメモリを手がける外資系メーカー

インテグレーションエンジニア<フラッシュメモリー>

外資系企業
職種/業界
プロセスエンジニア / 半導体
年収
500万円~1,300万円
勤務地
三重県

【職務内容】 ■メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当となり、そのモジュールを製造するためのプロセス技術開発、Process改善、製造パラメータ調整等を担当していただきます。 ■開発もしくは量産段階における特定の製造プロセスで生じた不良の原因を特定し、不良が起きにくい頑健なプロセスを実現していきます。 【具体的には】 ■メモリデバイスに要求される電気特性や信頼性を満たすための製造技術開発、新規材料、素子、デバイス構造、レイアウト等の開発・改善を担当頂きます。 【担当範囲】 ■デバイス構造評価形状、Inline測定によるプロセス評価・断面SEM/TEMなどによる構造評価、電気特性評価、工程変更評価、歩留り改善活動、信頼性改善活動、コスト低減活動 【魅力】 ■プロダクトエンジニアが【製品担当】であるのに対し、インテグレーションエンジニアは、製品を構成する【プロセスモジュール担当】となります。そのため、新しいデバイス構造やその形成方法を考案することができることが魅力の一つです。 ■9割以上が技術系エンジニア。製造部門は有していないことから、ほとんどのメンバーが何らかの形で開発に携わることが可能です。 ■比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。

外資系EDAツールベンダーの日本拠点
外資系EDAツールベンダーの日本拠点

アプリケーションエンジニア<デジタルインプリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
セールスエンジニア・FAE / 半導体
年収
~1,549万円
勤務地
神奈川県

■ツールに関する顧客向け技術プリセールス、及び、ポストサポート業務を担当していただきます。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<NANDフラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,500万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、NANDフラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計 ■ロジック検証 【求人の魅力について】 NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【同社について】 1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。 今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。 NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。

海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー
海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー

デザインエンジニア<DRAM/アナログ回路>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県

■デザインエンジニアとして、DRAMの設計・開発を担当していただきます。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<フラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、不揮発性フラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■10~20nm世代のNAND設計開発 ■少数精鋭での開発のため広範囲の裁量 【同社製品について】 同社の扱うコード格納用のフラッシュメモリは、NOR型やSLC NAND型などで、応用機器でのプログラムの大型化と歩調を合わせた大容量化を目指しています。2019年には、NORフラッシュメモリ市場における売上シェアは22.8%で世界シェア1位を獲得しています。

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