住友電工デバイス・イノベーション株式会社

携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担当いただきます。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことが期待されます。 ■主な業務 ・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way／4-way等） ・高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析 ・試作品の高周波特性・信頼性評価（GHzオーダーRF測定） ・デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決 ・顧客との技術コミュニケーション（コンカレント・エンジニアリング） ■扱う技術領域 ・RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化 ・デバイス：GaN HEMT ・応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器 ■本ポジションの魅力 ・2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も世界有数の市場シェアを持つ増幅器製品開発の最前線に関われます。 ・材料・物性・高周波回路・顧客要求の統合点で設計判断を下す、電子デバイスの総合格闘技ともいえる仕事です。 ・国内外の主要基地局ベンダー様とのコンカレント・エンジニアリングを通じて、顧客目線でのプロダクト開発スキルが身につきます。

下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方 ・基地局向けRFパワーアンプ(ドハティ増幅器等)の回路設計・開発経験 ・高周波回路設計(GHz帯、マイクロ波、ミリ波)の実務経験 ・MMIC、高周波モジュール設計の実務経験 ・上記に類する高周波デバイス・回路開発のシニアスペシャリスト経験

・国内外の基地局ベンダー、通信機器メーカー、RFデバイスメーカー等でご活躍されてきた方 ・UIターンで山梨勤務をご希望の方 ・プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方 ・英語または中国語での技術コミュニケーション能力

・物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方 ・電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方 ・腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)