デバイス開発＜電動車向けGaNパワー半導体素子＞
職種/業界
電気回路設計 / 自動車部品年収
550万円～1,430万円勤務地
愛知県豊田市 他電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaN-HEMT）の企画/開発/設計業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ◆車載用GaN-HEMTの製品企画／仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計 ◆車載用GaN-HEMTデバイス設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック 【業務のやりがい・魅力】 ・パワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。 ・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ、システム開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。 ・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。 【組織ミッション】 パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。 その中で、第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。 年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。