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半導体/技術職(機械・電気)/年収1100万円以上の求人・転職・中途採用情報

公開求人207件中 201〜207件表示
デクセリアルズ株式会社
デクセリアルズ株式会社

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デバイス設計エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
700万円~1,200万円
勤務地
栃木県下野市 他

同社の材料開発やプロセス開発の目標スペックに落とし込み、且つグローバルなパートナーと潜在顧客と同社の開発技術について英語で議論し、開発を推進頂きます。 【具体的には】 ■QD(半導体)デバイス設計 ■評価環境の構築 【このポジションの魅力】 メンバーの半分が外国人というグローバルな組織の中で、同社としても先進の試みであるグローバルな研究開発活動を推進していただきます。

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フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
650万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

■フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新 【入社後のキャリア】 これまでの経験を活かして、化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成を担当いただく可能性もあります。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。また、当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートの可能性もあります。

デバイス設計・評価<フォトニクスデバイス>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,000万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

同社では現在、新規ポートフォリオ拡大に向け、最注力分野の1つとして、フォトニクス領域、特に光半導体デバイスの事業拡大を目指しています。R&D部門では、フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大を目指し、現在複数の研究開発が進められています。2026年へ向けて高速PDとPIC、更に2030年を目標にCPO(Co-packaged Optics)に関わる開発を推進している段階です。この度は、光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための人員増強として、本求人を募集します。 ※同社求人票としては「フォトニクス/PICテストエンジニア」の名称となります。 【具体的には】 1.Si-Photoによるコヒーレント方式TxRx PICの設計 Lumericalや電磁界シミュレータ、Tanner等のCADを用いて、Si-Photo PICの構造/レイアウト設計を行う。回路シミュレーションやSパラメータ解析等の手法を用いてPIC全体の動作予測や性能試算を行い、PICの仕様を作成する。 2.PICの評価 VNAやAWGを用いてSi-Photoウェハ/PICの性能評価/動作実証を行う。得られた結果を解析し、PIC設計最適化と仕様策定にフィードバックする。また、試作開発と量産に適したSi-Photoウェハ/PICの評価系を構築し、評価手法を確立する。 【キャリアアップ】 通信用光集積回路の開発に必要な設計/評価技術のエキスパート 、もしくはフォトニクス製品開発を取りまとめるリーダ・マネージャーのキャリアがあります。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<NANDフラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,500万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、NANDフラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計 ■ロジック検証 【求人の魅力について】 NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【同社について】 1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。 今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。 NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。

フォトニクス/DSP方式検討エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,000万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

■フォトニクス/DSP方式検討エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・FPGAによるコヒーレント方式DSPのプロトタイピング リンクレベルのシミュレーションモデル構築、コヒーレント方式DSPの信号処理方式検討、FPGAによるプロトタイピング、AWGやPMDエミュレータ、DSOを用いた実機評価系の構築/通信性能評価をおこなっていただきます。 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新をおこなっていただきます。 【キャリアステップ】 自身のこれまでのスキルを活かし、エキスパートとして外注先と協力し光通信向け信号処理方式検討をリーディングしていただき、FPGAプロトタイピングを用いた実機評価を通じて、同社にシステムナレッジを蓄積していただきます。さらに社外との共同研究を通じて技術力の更なる向上を図り、組織の核となるメンバーとして、将来的には完全内部設計が可能な組織の構築に貢献していただきます。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<フラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、不揮発性フラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■10~20nm世代のNAND設計開発 ■少数精鋭での開発のため広範囲の裁量 【同社製品について】 同社の扱うコード格納用のフラッシュメモリは、NOR型やSLC NAND型などで、応用機器でのプログラムの大型化と歩調を合わせた大容量化を目指しています。2019年には、NORフラッシュメモリ市場における売上シェアは22.8%で世界シェア1位を獲得しています。

単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計<パワー半導体向け>

職種/業界
生産技術 / 半導体
年収
650万円~1,430万円
勤務地
愛知県日進市 他

■同社にてパワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 【業務のやりがい・魅力】 ・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます ・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます ・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます ・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます ・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

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