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半導体/年収1300万円以上/フレックス勤務の求人・転職・中途採用情報

公開求人57件中 51〜57件表示
デクセリアルズ株式会社
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フォトニクス/DSP方式検討エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,000万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

■フォトニクス/DSP方式検討エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・FPGAによるコヒーレント方式DSPのプロトタイピング リンクレベルのシミュレーションモデル構築、コヒーレント方式DSPの信号処理方式検討、FPGAによるプロトタイピング、AWGやPMDエミュレータ、DSOを用いた実機評価系の構築/通信性能評価をおこなっていただきます。 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新をおこなっていただきます。 【キャリアステップ】 自身のこれまでのスキルを活かし、エキスパートとして外注先と協力し光通信向け信号処理方式検討をリーディングしていただき、FPGAプロトタイピングを用いた実機評価を通じて、同社にシステムナレッジを蓄積していただきます。さらに社外との共同研究を通じて技術力の更なる向上を図り、組織の核となるメンバーとして、将来的には完全内部設計が可能な組織の構築に貢献していただきます。

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ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<NANDフラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,500万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、NANDフラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計 ■ロジック検証 【求人の魅力について】 NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【同社について】 1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。 今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。 NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。

デバイス設計・評価<フォトニクスデバイス>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,000万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

同社では現在、新規ポートフォリオ拡大に向け、最注力分野の1つとして、フォトニクス領域、特に光半導体デバイスの事業拡大を目指しています。R&D部門では、フォトニクス領域での事業ポートフォリオ拡大を目指し、現在複数の研究開発が進められています。2026年へ向けて高速PDとPIC、更に2030年を目標にCPO(Co-packaged Optics)に関わる開発を推進している段階です。この度は、光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現を加速するための人員増強として、本求人を募集します。 ※同社求人票としては「フォトニクス/PICテストエンジニア」の名称となります。 【具体的には】 1.Si-Photoによるコヒーレント方式TxRx PICの設計 Lumericalや電磁界シミュレータ、Tanner等のCADを用いて、Si-Photo PICの構造/レイアウト設計を行う。回路シミュレーションやSパラメータ解析等の手法を用いてPIC全体の動作予測や性能試算を行い、PICの仕様を作成する。 2.PICの評価 VNAやAWGを用いてSi-Photoウェハ/PICの性能評価/動作実証を行う。得られた結果を解析し、PIC設計最適化と仕様策定にフィードバックする。また、試作開発と量産に適したSi-Photoウェハ/PICの評価系を構築し、評価手法を確立する。 【キャリアアップ】 通信用光集積回路の開発に必要な設計/評価技術のエキスパート 、もしくはフォトニクス製品開発を取りまとめるリーダ・マネージャーのキャリアがあります。

海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー
海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー

デザインエンジニア<DRAM/アナログ回路>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
電気回路設計 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県

■デザインエンジニアとして、DRAMの設計・開発を担当していただきます。

東証プライム、ICT分野に強みを持つ日系総合電機メーカー
東証プライム、ICT分野に強みを持つ日系総合電機メーカー

DFT回路設計リード・マネージメント <高性能プロセッサ開発>

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
1,150万円~1,300万円
勤務地
神奈川県

■高性能プロセッサ開発におけるDFT回路設計リード・マネージメントをご担当いただきます。 【具体的には】 同本部では、数多くのサーバー製品、スーパーコンピューターやその一般展開HPC製品向け高性能プロセッサを開発しています。未来のデジタル社会を支える重要テクノロジーとしての高性能プロセッサを目指して開発を行っていただきます。本プロジェクトでは、数十億トランジスタ規模のプロセッサの開発において、ASICベンダと連携し、DFT回路設計全般のリード・マネジメントを職務として取り組んでいただきます。 【業務の魅力】 業界最先端技術に携わり、スーパーコンピュータをはじめとして、同社のフラッグシップであるHPC製品を支える仕事に従事し、社会貢献できている実感を得られます。海外のベンダとの定期的な打ち合わせにより英語を用いたグローバルなコミュニケーションスキルが身につきます。今後も最先端技術に挑戦し、それに応えられるプロセッサ開発業務は大きなやりがいが生まれるものと考えられます。 【期待される役割やミッション】 同ポジションは、幹部社員として、プロセッサの開発、設計、検証に責任を負い、以下のミッションを担っていただきます。 ・技術的な専門知識を活かし、ASICベンダーのDFT担当者や同部の設計者と技術連携しながら開発を推進 ・プロジェクト計画に基づいたDFT全般のスケジュール、進捗を管理 ・故障カバレッジ・診断率の向上

フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニア

職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
650万円~1,500万円
勤務地
東京都中央区 他

■フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新 【入社後のキャリア】 これまでの経験を活かして、化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成を担当いただく可能性もあります。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。また、当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートの可能性もあります。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

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デザインエンジニア<フラッシュメモリ>

外資系企業
転勤なし
職種/業界
研究・開発 / 半導体
年収
600万円~1,400万円
勤務地
神奈川県横浜市港北区

■デザインエンジニアとして、不揮発性フラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■10~20nm世代のNAND設計開発 ■少数精鋭での開発のため広範囲の裁量 【同社製品について】 同社の扱うコード格納用のフラッシュメモリは、NOR型やSLC NAND型などで、応用機器でのプログラムの大型化と歩調を合わせた大容量化を目指しています。2019年には、NORフラッシュメモリ市場における売上シェアは22.8%で世界シェア1位を獲得しています。

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