外資系EDAツールベンダーの日本拠点
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半導体／年収1300万円以上／30代の求人・転職・中途採用情報
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海外市場上場のグローバル半導体製造メーカー
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東証プライム、ICT分野に強みを持つ日系総合電機メーカー
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DFT回路設計リード・マネージメント ＜高性能プロセッサ開発＞
職種/業界
研究・開発 / 半導体年収
1,150万円～1,300万円勤務地
神奈川県■高性能プロセッサ開発におけるDFT回路設計リード・マネージメントをご担当いただきます。 【具体的には】 同本部では、数多くのサーバー製品、スーパーコンピューターやその一般展開HPC製品向け高性能プロセッサを開発しています。未来のデジタル社会を支える重要テクノロジーとしての高性能プロセッサを目指して開発を行っていただきます。本プロジェクトでは、数十億トランジスタ規模のプロセッサの開発において、ASICベンダと連携し、DFT回路設計全般のリード・マネジメントを職務として取り組んでいただきます。 【業務の魅力】 業界最先端技術に携わり、スーパーコンピュータをはじめとして、同社のフラッグシップであるHPC製品を支える仕事に従事し、社会貢献できている実感を得られます。海外のベンダとの定期的な打ち合わせにより英語を用いたグローバルなコミュニケーションスキルが身につきます。今後も最先端技術に挑戦し、それに応えられるプロセッサ開発業務は大きなやりがいが生まれるものと考えられます。 【期待される役割やミッション】 同ポジションは、幹部社員として、プロセッサの開発、設計、検証に責任を負い、以下のミッションを担っていただきます。 ・技術的な専門知識を活かし、ASICベンダーのDFT担当者や同部の設計者と技術連携しながら開発を推進 ・プロジェクト計画に基づいたDFT全般のスケジュール、進捗を管理 ・故障カバレッジ・診断率の向上
デクセリアルズ株式会社
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フォトニクス／化合物デバイス設計エンジニア
職種/業界
研究・開発 / 半導体年収
650万円～1,500万円勤務地
東京都中央区 他■フォトニクス／化合物デバイス設計エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計／評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析 ・設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新 【入社後のキャリア】 これまでの経験を活かして、化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成を担当いただく可能性もあります。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。また、当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートの可能性もあります。
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
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デザインエンジニア＜フラッシュメモリ＞
外資系企業
転勤なし
職種/業界
研究・開発 / 半導体年収
600万円～1,400万円勤務地
神奈川県横浜市港北区■デザインエンジニアとして、不揮発性フラッシュメモリの設計・開発を担当していただきます。 【具体的には】 ■10~20nm世代のNAND設計開発 ■少数精鋭での開発のため広範囲の裁量 【同社製品について】 同社の扱うコード格納用のフラッシュメモリは、NOR型やSLC NAND型などで、応用機器でのプログラムの大型化と歩調を合わせた大容量化を目指しています。2019年には、NORフラッシュメモリ市場における売上シェアは22.8%で世界シェア1位を獲得しています。