サンディスク合同会社

■先端三次元フラッシュメモリー製品のテストで判明した不良箇所の原因解明、または、テストプログラム／次世代解析手法の開発を担当していただきます。 【具体的には】 テスターを用いた電気的解析により不良現象の解明および不良個所の絞り込みを行うために、信頼性評価、解析環境整備ならびにテストプログラム作成や次世代解析手法の開発を担当いただきます。 ・テスターを用いた不良個所の解析 ・物理解析から不良箇所の原因の特定 ・特定された不良原因を対策するため、デザインやテスト、プロセスへの改善提案 ・メモリテスタを用いたセル信頼性評価の実施／開発 ・メモリセルの信頼性評価および特性評価 ・テストプログラムの開発／改良（パターン設計、アルゴリズム最適化） ・評価データの解析／統計処理（寿命推定、トレンド分析） ・Fail Bit Mapの環境立ち上げ／不良モード分析 【ポジションの魅力】 現在は、半導体製造工程等で発生する膨大なデータ解析から、不良現象等を解明し、歩留り向上のために製造工程にフィードバックしています。将来的には、リアルタイムでデータを抽出し、不良を「予防」することも視野に入れるなど、技術を磨ける環境です。自身の仕事がダイレクトに高性能製品の反映される仕事になります。

※下記いずれも必須 ■半導体デバイス評価・テストプログラム開発の経験 ■何等かの計測装置を扱った経験

■Fail Bit Mapの開発経験 ■Redmineによるプロジェクト管理経験 ■bitbucket/Gitによるコード管理経験 ■クリーンルームでの業務経験 ■プログラミング経験 ■半導体物性、半導体デバイス、統計解析、データ解析（Spotfire、JMP、R、SONAR） ■情報工学（プログラミング、データベース、VM、Webサービス、ビッグデータ、機械学習など） ■基礎的な英語力

■他部門のエンジニアとのコミュニケーション能力をお持ちの方 ■ロジカルシンキングをお持ちの方

※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※社内規定および経験・能力を考慮した上で決定