【製造技術＜半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査＞】住友電工デバイス・イノベーション株式会社（山梨県中巨摩郡昭和町）の求人情報

仕事内容

半導体レーザの後工程を担う製造技術エンジニアを募集します。ウェハからチップへの個片化（精密加工）、レーザの光出射面への端面膜加工（成膜）、素子の特性検査までを担当いただくポジションです。【具体的には】・半導体レーザの個片化・端面膜加工（光出射面への成膜、光出力特性の制御）・素子検査（特性検査、信頼性評価）・量産立ち上げ、歩留まり改善、不具合対策・製造装置の改善・新規導入対応・前工程との連携による課題解決 ■業務の特徴・半導体レーザの「光を出す側面」を作り込み、製品として機能させる最終工程を担います。・ミクロン単位の精度・公差が求められる精密加工の世界で、技術力が直接製品品質に反映されます。・隣接するモジュール組立部門との連携も多く、デバイスからモジュールまでの製造プロセスへの理解が深まります。

必要な経験・資格

必須要件

※下記いずれか必須・電子部品メーカー、後工程装置メーカー、LEDメーカー等での製造技術ご経験・電気電子部品または光学部品の評価・検査技術開発のご経験・精密加工工法開発のご経験（切断・研削・切削等、ミクロン単位の精度・公差を扱うご経験）

歓迎要件

・半導体レーザ、LED、光デバイス等の後工程経験・成膜技術（端面膜加工等）のご経験・量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験

求める人物像

・現場で手を動かして課題解決することを楽しめる方・装置・プロセス・材料を横断する総合的な技術アプローチに興味をお持ちの方・前工程・後工程の関係者と連携しながら粘り強く課題を解決できる方・歩留まり改善や量産立ち上げに対して、新しいアプローチを考え続けられる方

給与

年収450万円～800万円

給与形態

月給制

昇給

1回

賞与

2回

諸手当

家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等

雇用条件

雇用形態

正社員

勤務時間

フレックスタイム制

就業時間

8:30〜17:15

勤務地

〒4093883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 最寄り駅：国母（ＪＲ身延線）車4分

転勤

場合によりあり

マイカー通勤

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休日・休暇

年間120日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）

年間休日120日以上

待遇・福利厚生

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金財形住宅貯蓄、企業年金基金、確定拠出年金制度、共済会、持株会、カフェテリアプラン制度(自主選択型福利厚生制度)、育児休業(満3歳到達まで）、短時間勤務(小学6年の3月末日まで)、介護休業(2年まで)、ジョブリターン制度

教育・研修

研修センター

退職金制度

担当コンサルタントからのコメント

化合物半導体（光デバイス）製造は、多種多様な材料や光電変換の理解、部門間の緊密な連携と技術者の知恵が必要な領域です。生成AI時代の光通信インフラを支え、高度な要求に応える技術的挑戦が魅力です。キャリア面では、住友電工グループの安定した基盤のもと、市場価値の高い専門性を磨きながら、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして活躍できる環境が整っています。

会社概要

会社名

住友電工デバイス・イノベーション株式会社

所在地

〒2440845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地

設立

2004年4月

代表者

代表取締役社長　岩舘弘剛

資本金

150億円

上場・非上場

非上場

事業内容・沿革

■光通信・無線通信用化合物半導体デバイスの設計・開発・製造＜沿革＞ 1984年前身企業である株式会社富士通山梨エレクトロニクス（後の富士通カンタムデバイス）設立 2004年住友電気工業株式会社（住友電工）と富士通カンタムデバイス株式会社の電子デバイス事業を統合。住友電工と富士通株式会社の折半出資会社としてユーディナデバイス株式会社が発足 2009年ユーディナデバイス株式会社を住友電工が100％子会社化（事業分割により住友電工の光・電子デバイスに係る事業を継承）。住友電工デバイス・イノベーション株式会社に商号を変更

企業の特徴

【概要・特徴】東証プライム上場の住友電気工業（株）傘下の通信機器デバイスメーカー。住友電工と富士通の出資により、2004年に設立されました。光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品の両方において世界トップ級シェアを持つ唯一のメーカーです。半導体はシリコンが材料になることが多いですが、同社は化合物半導体を製品に使用。近年、高速データ伝送・高効率でありながら低消費電力のデバイスを創出する化合物半導体への期待が高まっており、高性能・高品質な製品開発を追求しています。【強み】主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した化合物半導体材料の窒化ガリウム（GaN）を用いたデバイス「GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）」は、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。今後は宇宙産業での採用も目指しています。

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