SiCデバイス開発エンジニア
職種/業界
研究・開発 / 半導体年収
400万円～850万円勤務地
宮崎県宮崎市同社にてSiCデバイスのライン設計・開発、量産移管を担当していただきます。 【具体的には】 デバイス設計、プロセス評価、特性評価、信頼性評価を担当いただきます。 技術背景に合わせてプロセス構築の部分とテスト工程・評価に業務区分けすることもありますが、製品開発の上流から下流まで前工程に関する幅広い業務を対応いただきます。 【ポジションの魅力】 デバイス・マスク設計やSimulation検証などのモノづくりの上流から、プロセスインテグ（要素評価・改善）、特性評価や信頼性評価などの下流まで幅広い業務を経験でき、自身の能力・興味に合わせてスキルアップが可能です。 部署間の異動もフレキシブルに対応しており、顧客拡販やプロセスのスペシャリストなど、自身のキャリアプランを反映させやすい環境です。 【パワー半導体の強み】 ・省エネについて：スイッチングにおける電力損失をSi製デバイスと比較して低減できるため、電力損失を約50％ほど低減できます。 ・小型化について：電力損失が低減することで冷却機構や周辺部分を削減することができるため小型化が可能です。 ・同社製品の使用用途について：小型化が可能であることから、パソコン、白物家電、サーバー等小型機器にも使用が予想されています。