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株式会社KOKUSAI ELECTRIC

東京都千代田区神田鍛冶町3-4 oak神田鍛冶町5F

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株式会社KOKUSAI ELECTRICの企業情報

株式会社KOKUSAI ELECTRICの企業情報

事業内容・沿革
■半導体製造機器の研究・設計・製造・設置・メンテナンス <沿革> 1949年 国際電気(株)設立 2000年 国際電気(株)、日立電子(株)、八木アンテナ(株)が合併し、(株)日立国際電気に商号変更 2009年 (株)日立製作所の連結子会社化 2017年 米国の資産運用会社「Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.(KKR)」グループが株主に参画 2018年 KKRグループが管理・運営するHKEホールディングス(株)(現:同社)が(株)日立国際電気の成膜プロセスソリューション事業を承継し、(株)KOKUSAI ELECTRICに商号変更 2023年 東京証券取引所プライム市場へ新規上場
企業の特徴
【概要・特徴】 東証プライム上場、1949年創業の半導体製造装置専業メーカー。半導体製造プロセスの“成膜”に強みをもち、特に縦型拡散CVD装置分野では世界シェア50%以上を占める業界をリードする企業です。創業時は国際電気(株)、その後は(株)日立国際電気の一事業として発展してきましたが、2017年に独立。半導体製造装置専業企業として再スタートを果たしています。 【強み】 物理的限界値に近い10ナノメートルの微細加工技術をはじめとした世界トップレベルの成膜技術が強み。これら技術を用いた半導体製造装置を世界の半導体トップメーカーに納入しており、海外売上高比率は約90%となっています。生産プロセスにおいては、受注から設計、調達、製造、販売後の保守・メンテナンスまで、全工程を一気通貫した生産管理システムで管理しています。製造は清浄度クラス5,000のクリーンルームで行われており、ユニット組立ではセルステーション生産方式を採用。作業の効率化・生産性の向上を推進しています。 【ビジョン】 半導体デバイスはより複雑な三次元構造へのシフトが進んでおり、より高品質・高性能かつ生産性の高い半導体製造装置が求められています。近年は複合プロセスでのソリューションを求める顧客も多いため、成膜装置単独での技術開発だけではなく、成膜プロセスの前処理・後処理など前後の工程を念頭においた開発も強化していく方針です。 また近年需要が拡大しているSiCやGaNなどの次世代パワー半導体や、3D-NANDといった立体構造デバイスの製造プロセスにおいても、成膜技術はキーテクノロジーとなります。これらの成長市場向けに研究開発投資を積極的に行っており、今後も持続的な成長を見込んでいます。
所在地
〒1010045 東京都千代田区神田鍛冶町3-4 oak神田鍛冶町5F
設立
2017年2月
代表者
代表取締役社長 塚田 和徳
資本金
100億円
上場・非上場
東証プライム
従業員数
2,374人(2024年3月現在)
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