エレファンテック株式会社
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エレファンテック株式会社の企業情報
エレファンテック株式会社の企業情報
事業内容・沿革
■先端半導体パッケージング向け装置およびナノ材料の開発・製造・販売
<沿革>
2014年 「AgIC株式会社」を文京区本郷にて設立(東京大学発スタートアップ)
2017年 「エレファンテック株式会社」へ社名変更
2020年 大型量産実証拠点「AMC名古屋」(三井化学名古屋工場内)を設立
2023年 台湾大手LITEON社と低炭素PCB量産に向けた協業覚書(MoU)を締結。「大学発ベンチャー表彰2023」経済産業大臣賞を受賞
2024年 「ZET-summit 2024」にて「Global Deeptech賞」を受賞
2026年 三菱電機株式会社と業務提携を締結。約42億円の資金調達を実施
企業の特徴
【概要・特徴】
東京大学の研究シーズをもとに2014年に設立された、次世代エレクトロニクス製造を担うディープテック企業です。金属インクジェット印刷技術とナノ材料技術を融合させ、必要な箇所にのみ配線を形成するピュアアディティブ製法を世界で初めて確立。従来のサブトラクティブ法と比べ、製造工程における環境負荷(CO2排出量や水資源使用量)を大幅に削減しながら、先端エレクトロニクス・半導体分野でのものづくりのパラダイムシフトを推進しています。
【強み】
ナノインクの材料化学からインクジェット吐出制御、めっきまでを自社内で垂直統合した高度な技術力が強みです。独自のナノ粒子制御による低温焼結材料と直接描画技術により、露光マスクが不要な完全型レス製法を実現。試作時の型代ゼロや圧倒的な短納期、低イニシャルコストを可能にしています。
【注力分野】
「先端半導体パッケージング」と「次世代AIサーバー向け高多層基板」の製造ソリューションに注力しています。高アスペクト比マイクロビア導電化技術「DeepVia HDI」や、微細配線とディープビアを両立する新製法「DS-SAP」に加え、パワー半導体やガラス基板(TGV)向け銅ナノペースト「SAphire」シリーズの開発・量産展開を推進。AIハードウェア進化の物理的ボトルネックを解消するキーテクノロジーとして市場投入を進めています。
所在地
〒1040032
東京都中央区八丁堀4-3-8
設立
2014年1月
代表者
代表取締役社長 清水 信哉
資本金
100百万円
上場・非上場
非上場
従業員数
120人(2026年10月現在)
アンドプロの 3つ の強み

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