三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所

福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号

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三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所の企業情報

事業内容・沿革

■三菱電機の半導体関連製品の開発・製造・販売 ※パワーモジュール（IGBTチップ搭載モジュール／IPM）、大電力パワーデバイス、半導体センサー、トランジスタアレイ、HVICの製造など ※三菱電機は、半導体分野のおいて世界で4位の売上高です。＜沿革＞ 1952年　三菱電機がパワー半導体の開発を開始 1981年　北伊丹製作所福岡半導体工場（現：パワーデバイス製作所）を新設 2010年　世界で初めて（※）SiCモジュールをエアコンへ搭載　※ 2010年8月24日時点同社調べ 2021年　広島県福山市にパワーデバイス製作所の新拠点を開設 2025年最先端パワー半導体向けの大型新棟が竣工

企業の特徴

【概要・特徴】三菱電機グループにおいて半導体の開発・製造を担う事業所です。同グループは半導体分野において売上高世界4位、パワー半導体では数十年にわたり世界トップクラスを維持しています。とくに電力制御の要であるIGBTモジュール分野では、世界シェア第2位（※1）という強固な地位を確立しています。【大型投資による生産体制の強化】現在は、2026年度に向けて約1,000億円という巨額投資を進めており、熊本に大型の新棟を建設しました。これにより、急速に普及する電気自動車（EV）市場での供給能力を倍増させ、世界トップの座を目指せる体制を整えています。 ※1：Omdiaなどの調査に基づく産業向け特定分野【競合優位性】三菱電機パワーデバイス製作所の最大の強みは、グループ内で人工衛星、FA設備、新幹線、エレベーターなど幅広い製品・システムを手がけている点です。半導体専業メーカーとは異なり、三菱電機の幅広い製品に搭載され、過酷な現場で長期間使用されることで、信頼性の高いデータを蓄積しています。とくに次世代パワー半導体材料である「SiC（炭化ケイ素）」においては、世界で初めて鉄道車両への搭載を成功させるなど、研究開発で培った技術を実際の製品に落とし込み、社会実装につなげる技術力で他社と圧倒的な差をつけています。

所在地

〒8190192 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号

設立

1921年1月

代表者

代表執行役執行役社長　漆間啓

資本金

1,758億2,000万円

上場・非上場

東証プライム

従業員数

150,386人（2026年3月現在）

平均年齢

41歳

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