デバイス開発＜次世代パワー半導体素子＞
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職種/業界
研究・開発 / 自動車部品年収
550万円～1,430万円勤務地
愛知県豊田市 他電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ◆製品企画／仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計 ◆デバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック 【業務のやりがい・魅力】 ・パワー半導体のデバイス開発に関するスキルアップができます。特に、試作ラインを活用したウェハ試作・特性評価を通じて、机上検討だけでは得られない実践的なモノづくり力を身につけることができます。また、デバイスシミュレーション、構造設計、試作・評価まで一連の開発に携わりながら、製品全体を見据えた開発経験を積むことができます。 ・素子開発部門にとどまらず、パワーモジュール開発部署、インバータ開発部署、量産工場など幅広い関係者と密接に連携しながら開発を推進します。前工程から後工程まで一気通貫で開発に携わることができ、多様な専門性を持つエンジニアと協働しながら製品価値を高めていく経験を積むことができます。 ・魅力あるパワー半導体の企画・開発を通じて、世界中の顧客へ高品質な製品を提供しています。電動車向けだけでなく産業機器分野など幅広い用途への展開を見据えながら、地球温暖化の抑制や省エネルギー社会の実現に貢献できることが大きなやりがいです。また、デバイス単体ではなくモジュール・システムまで見据えた開発に携われることもデンソーならではの魅力です。