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技術開発<GaNの結晶成長技術>
GaN(窒化ガリウム)単結晶基板製造技術「SCAAT-LP(低圧酸性アモノサーマル法)」のリーダーとして、の液相法による結晶成長技術開発をリードしていただきます。 SCAATは、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低欠陥・高品質なGaN基板を実現できる技術です。共同開発先の設備メーカーや国内外の会社、大学、研究機関とも連携しながら、量産化に向けた技術課題の解決を推進いただきます。 【具体的には】 ・液相成長(SCAAT)による化合物半導体単結晶基板の技術開発、および開発テーマの推進(ご経験に応じて対応いただく業務) ・チームメンバーの業務管理と育成 ・共同開発先との技術協議・調整 【ミッションテーマ例】 ・欠陥密度の低減、不純物の低減 ・成長速度の制御、生産性・歩留まりの改善 ・大口径化(6~8インチ)に向けた技術開発 ・安定製造技術の確立と製造部門への技術移管