仕事内容

【配属チーム・募集背景】新規高速メモリ「2D-OCTRAM」が、基礎研究の段階から、実際の製品に搭載可能な信頼性・マージン・コストを担保する「製品レベルの設計フェーズ」へと本格的に移行。これに伴い、新たに「設計技術研究開発部 2D-OCTRAMチーム」を立ち上げ、コアメンバーを募集しております。【業務内容】次世代メモリの製品化を確実に達成し、開発ゲートを突破するため、特定の回路ブロック(アナログ、ロジック、高速IO/メモリーインターフェース)の主担当として、仕様策定から回路設計、シミュレーション検証までの一連の業務を担っていただきます。国内外のデバイス開発者と議論をしながら、回路が物理的に動作するための「境界条件(仕様の閾値)」をご自身で定義し、設計を牽引していく役割をお任せします。※新チームへの配属とるため、担当回路ブロックはご経験を踏まえ決定いたします。【具体的な仕事内容】 A)デバイス物理層との連係による仕様策定・境界条件の定義：メモリセルの物理特性に基づいた、電気的・時間的境界条件の定義、および周辺回路に対する仕様策定とマージン設計。 B)新規メモリ向け周辺回路・ロジック回路のトポロジー考案およびカスタム設計 C)PVTコーナーおよび最悪条件を想定した高精度回路シミュレーション・波形検証 D)レイアウト依存効果の抑制に向けた設計指示およびポストシミュレーション E)シャトル試作実機データに基づく回路の最適化・フィードバックループの推進 F)技術ノウハウの共有とメンタリングによるチームの技術的底上げ【使用ツール】 ●Synopsys社・Cadence社の回路設計ツール：Virtuoso(アナログ/カスタム回路)・IC compiler(デジタル/ロジック回路)・HSPICE(小〜中規模のアナログ回路)・PrimeSim(大規模なメモリ・ミックスド回路)

必要な経験・資格

必須要件

■トランジスタレベルの回路設計の経験(3年以上)

歓迎要件

□メモリ設計/評価の経験 □高速IO/メモリインターフェ―ス回路設計の経験 □DRAM設計の経験 □語学力(英語・中国語)

給与

年収550万円～1,260万円

※モデル年収・950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与）・680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与）

給与形態

月給制

昇給

1回

賞与

2回

諸手当

時間外勤務手当、通勤手当、住宅費補助、家賃補助、寮・社宅（独身寮、単身寮、家族社宅）、在宅勤務手当、次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月）

雇用条件

雇用形態

正社員

勤務時間

フレックスタイム制

就業時間

8:30〜17:15

平均残業時間

月20時間

勤務地

〒2478585 神奈川県横浜市栄区笠間2－5－1 最寄り駅：大船（ＪＲ根岸線）徒歩7分

転勤

場合によりあり

マイカー通勤

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勤務形態

在宅勤務・リモートワーク可

休日・休暇

年間休日125日（2026年度）／完全週休2日制（土日）、祝日、GW、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等

完全週休2日制

土日休み

年間休日125日以上

待遇・福利厚生

健康保険、雇用保険、労災保険在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度

教育・研修

・社内e－leaningシステムにて半導体（フラッシュメモリ技術、SSD技術等の各技術分野の講座）・AI導入・語学などの教育が受講可能・展示会への派遣や社外教育の受講

退職金制度

担当コンサルタントからのコメント

世界トップクラスの技術力を誇るキオクシアの先端研究所にて、全社注目の次世代DRAM「2D-OCTRAM」の製品化を牽引する新設チームのコアメンバーとして、仕様策定からカスタム設計まで裁量を持って挑戦できる非常にダイナミックなポジションです。世界にインパクトを与える次世代メモリ開発を通じてデバイス物理にも精通したフルスタックなエンジニアへ成長したい方におすすめです。

会社概要

会社名

キオクシア株式会社

所在地

〒1080023 東京都港区芝浦3-1-21 田町ステーションタワーS

設立

2017年4月

代表者

代表取締役社長　早坂伸夫

資本金

100億円

上場・非上場

東証プライム

従業員数

10,202人（2025年3月現在）

平均年齢

41歳

事業内容・沿革

■メモリおよび関連製品の開発・製造・販売事業、その関連事業＜沿革＞ 1987年　世界初のNAND型フラッシュメモリを発明 1992年　四日市工場を設立 2007年　世界初の3次元フラッシュメモリ技術を発表 2017年　東芝メモリ（株）として発足。（株）東芝のメモリ事業を会社分割により承継し事業を開始 2017年　東芝メモリ岩手（株）を設立　※現：キオクシア岩手（株） 2019年　キオクシア（株）に社名変更 2020年　台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社Solid State Storage Technology Corporationを買収 2021年　キオクシアアドバンスドパッケージ（株）を吸収合併 2022年　中部東芝エンジニアリング（株）の株式を取得し子会社化　※現：キオクシアエンジニアリング（株）

企業の特徴

【概要・特徴】 NAND型フラッシュメモリで世界シェア第2位の半導体メーカーです。2017年に（株）東芝のメモリ事業を承継し、「東芝メモリ（株）」として発足。2019年に社名を「キオクシア（株）」に変更しました。三重県四日市市に世界最大級のフラッシュメモリ工場を有しており、フラッシュメモリでは世界シェア約20％を獲得しています。米国・欧州・アジアに関係会社を有しグローバルに事業を展開。海外売上高比率（連結）は約90％です。【研究・技術開発】 1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明。2007年に世界初の3次元フラッシュメモリ技術を発表し、多値NANDを搭載した128GBのSSDを製品化するなど、革新的な技術・製品を次々と開発し、フラッシュメモリとSSDのリーディングカンパニーとしての地位を確立しています。また、研究開発拠点として、四日市・横浜エリアに先端研究開発・応用システム開発・開発試作業務を行う「メモリ技術研究所」を保有。さらに四日市エリアには同社が世界に先駆けて開発した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の研究開発と量産化の橋渡しを担う「先端メモリ開発センター」も有しています。【生産拠点】四日市工場の敷地面積は約69万平方メートルで、工場で働く人数は約7000人。数千台の製造装置や検査計測装置から、1日あたり50TBにものぼる膨大な製造関連データが生成されています。また2022年には第7製造棟を新設し、生産力の増強を図っています。

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