ルネサスエレクトロニクス株式会社
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ルネサスエレクトロニクス株式会社の企業情報
ルネサスエレクトロニクス株式会社の企業情報
事業内容・沿革
■各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス
<沿革>
2002年 日本電気(株)の子会社として、前身の「NECエレクトロニクス(株)」を設立
2003年 東京証券取引所第一部へ上場
2010年 日立製作所と三菱電機の半導体統合会社「(株)ルネサステクノロジ」と合併し、ルネサスエレクトロニクス(株)に商号変更
2015年 本社を豊洲フォレシアに移転
2019年 100%子会社の「ルネサス セミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ(株)」を吸収合併
2022年 東証プライムに上場区分を変更
企業の特徴
【概要・特徴】
東証プライム上場の大手半導体メーカー。2010年にNECエレクトロニクス(株)と(株)ルネサステクノロジの合併により設立されました。同社および国内外の関係会社80社以上で構成され、半導体専業メーカーとして研究、設計、開発、製造、販売などを行なっています。半導体業界では自動運転向けの開発が活発化しており、同社の車載用マイコンとSoC(システム・オン・チップ)は世界で高いシェアを獲得しています。
【技術力】
同社の車載用マイコンの特長は高速演算処理と低消費電力です。業界初の40ナノメートルプロセスにより一般的なマイコンに比べて消費電力を3分の1以下に抑制。膨大な情報を高速処理する自動運転において大きな強みとなっています。また、SoCにおいては前身であるNECのテレビ向けCPU技術を生かしてカーナビのチップを開発し、自動運転に応用しています。
【ビジョン】
2019年、日本の半導体メーカーとして過去最大の買収額で米国半導体メーカー「Integrated Device Technology社(IDT)」を完全子会社化。IDTが得意とする「通信用半導体」をデータセンターや通信インフラ向け、または自動運転、EVなど幅広い分野に応用し、事業の拡大を図ります。また、アジアに広い顧客基盤を持つIDTの販売網を活用し、グローバル展開を加速させたい考えです。
所在地
〒1350061
東京都江東区豊洲3-2-24 豊洲フォレシア
設立
2002年11月
代表者
代表取締役社長兼CEO 柴田 英利
資本金
153,209百万円
上場・非上場
東証プライム
従業員数
22,711人(2024年12月現在)
平均年齢
48歳
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